Tez detayları

Ge üzerine büyütülen GaAs yapısının X-ışını kırınımı yöntemi ile incelenmesi = Study of GaAs structure grown on Ge substrate wth X-rat diffraction

Yazarlar:

Alaydin, Behçet Özgür

Yayıncı:

Cumhuriyet Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2013

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000159330

Özet

There has been an ongoing research efforts on epitaxial crystal growth and structural characterization of grown samples with MOCVD and high resolution xrd system which bought with DPT grant in 2006,at Cumhuriyet University Nanophotonics Research Centre. XRD studies are a common technique that are utilized frequently by researches work is similar studies. Especially for epitaxially grown layers to manufacture nano-devices structural properties are very important for their efficiencies. One of the project that is funded by TUBİTAK 1001 (TBAG 109T726) deals with III. Generation solar cells (tandem solar cells). In this thesis structural properties of the first part of three junction tandem solar cell that is GaAs on Ge substrate have been studied by high resolution xrd scattering.

Cumhuriyet Üniversitesi Nanofotonik merkezinde yürütülmekte olan DPT (Kalkınma Bakanlığı) projesi kapsamında alınan döner anotlu x-ışını karakterizasyon cihazı ile yine merkezimizde bulunan epitaksiyel tek kristal büyütme sistemlerinden MOCVD ile kristal büyütme ve analiz etme çalışmaları 2006 yılından beri devam etmektedir. X-ışınları ile uygulamalı Ar-Ge çalışmaları bu konuda çalışan mühendis ve uzmanlar arasında kullanılan yaygın bir tekniktir. Özellikle nano-yapıların epitaksiyel olarak büyütülmelerinin ardından yüksek verimle çalışması için yapısal özelliklerinin bilinmesi elzemdir. Bu merkezde çalışılan nano yapılardanbirisi deIII. Nesil güneş pillerinden tandem güneş pilleridir. Bu güneş pillerinin gelişimine katkı sağlanması ve bu konuda gerekli tecrübenin elde edilmesi için XRD ile karakterizasyon önemli adımlardan biridir. Merkezde Tübitak 1001 (TBAG 109T726) projesi kapsamında yapılan araştırmalardan Ge üzerine yapılan üç eklemli güneş pili yapısının ilk eklemini oluşturacak olan Ge üzerine GaAs yapısınınözellikleri yüksek çözünürlüklü x-ışını kırınımı yöntemiyle bu tez kapsamında araştırılmıştır.

Tez detayları

Ge üzerine büyütülen GaAs yapısının X-ışını kırınımı yöntemi ile incelenmesi = Study of GaAs structure grown on Ge substrate wth X-rat diffraction

Yazarlar: Alaydin, Behçet Özgür

Yayıncı: Cumhuriyet Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2013

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000159330