In this thesis study, the effects of high-frequency intense laser field on the resonant tunneling in symmetric and asymmetric inverse-parabolic double-barrier structure under external electric field are investigated theoretically. Linearly polarized non-resonant monochromatic laser field has been taken into account within the framework of high-frequency Floquet theory. Tunneling transmission coefficient of an electron in the system governed by a laser-dressed potential is calculated. The non-equilibrium Green's function approach and finite difference scheme have been used.Numerical results show that resonant tunneling of electron through AlGaAs-GaAs heterostructure can be tuned by the intense laser radiation. The mechanism is based on the variation of the quasi-bound states of the quantum well due to the laser-altered potential profile. Moreover, we obtain that the resonant peaks of the transmission coefficient changes significantly with the parameters defining the structure: width of well and width-height of the barriers. Besides the resonant peak of the transmission coefficient is affected considerably by the strength of external electric field and symmetry of the system.

Bu tez çalışmasında, dış elektrik alan altındaki simetrik ve asimetrik ters-parabolik çift-bariyer yapıdaki resonant tünelleme üzerine yüksek-frekans yoğun lazer alanının etkileri teorik olarak incelenmektedir. Lineer polarize resonant olmayan monokromatik lazer alanı yüksek-frekans Floquet teorisi çerçevesinde ele alınmıştır. Lazer-giydirilmiş potansiyel ile tanımlanan sistemdeki bir elektronun tünelleme geçiş katsayısı hesaplanmıştır. Denge-dışı Green fonksiyonu yaklaşımı ve sonlu farklar şeması kullanılmıştır.Nümerik sonuçlar, AlGaAs-GaAs heteroyapı boyunca elektronun resonant tünellemesinin yoğun laser radyasyonu ile ayarlanabileceğini göstermektedir. Mekanizma lazer-değiştirilmiş potansiyel profili nedeniyle kuantum kuyusunun quasi-bağlı durumlarının değişmine dayanmaktadır. Ayrıca, geçiş katsayısının resonant piklerinin, kuyu genişliği ve bariyerlerin genişliği-yüksekliği gibi yapıyı tanımlayan parametrelerle önemli ölçüde değiştiğini elde etmekteyiz. Bunun yanı sıra, geçiş katsayısının resonant piki dış elektrik alanın şiddeti ve sistemin simetrisi tarafından oldukça etkilenmektedir.