Tez detayları

LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri = The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2004

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000358245

Özet

THE TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRON ANDMAGNETO TRANSPORT PROPORT ES N Te DOPED n-TYPE InSbGROWN BY LEC(M.Sc. Thesis)Ümit YURDUGÜLGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYDecember 2005ABSTRACTResistivity, magnetoresistivity and Hall effect measurements in n-type Te-dopedInSb grown by the LEC technique were carried out as a function oftemperature (14-350 K) and magnetic field (0-1.35 T). The measurement resultsare analyzed using the conventional and quantitative mobility spectrum analysismethods. It is found that the impurity levels arising from LEC technique andintentionally dopants have a strong influence on both the electron and magnetotransport properties. The temperature dependence of the magnetoresistivitycoefficient shows an overall increase by representing two minima as thetemperature decreases. These minima are associated with two types ofimpurities.Science Code : 202.1.147Key Words : InSb, Hall mobility, QMSA, Electron Transport,MagnetoresistivityPage Number : 77Adviser : Doç. Dr. Mehmet KASAP.

LEC TEKN Ğ LE BÜYÜTÜLEN Te KATKILI n-T P InSbÖZELL KLER(Yüksek Lisans Tezi)Ümit YURDUGÜLGAZ ÜN VERS TESFEN B L MLER ENST TÜSÜAralık 2005ÖZETLEC tekniği ile büyütülen n-tipi Te katkılı InSb numunesinde, manyetik alanbağımlı özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 14-350K sıcaklık aralığında ve 0-1.35Tmanyetik alan aralığında yapıldı. Ölçüm sonuçları geleneksel ve `nicel mobilitespektrum analiz' (QMSA) teknikleri kullanılarak analiz edildi. Analizsonuçlarından; LEC kristal büyütme tekniğinden ve Te katkısındankaynaklanan safsızlık seviyelerinin, manyeto ve elektron iletim özelliklerineşiddetli bir etkisi olduğu bulundu. Sıcaklık bağımlı manyetoözdirenç katsayısıdüşen sıcaklıkla iki minimum sergileyerek bir artış göstermektedir. Buminimumların iki tip safsızlıkla ilgili olduğu bulundu.Bilim Kodu : 202.1.147Anahtar Kelimeler : InSb, Hall Mobilitesi, QMSA, Elektron letimi, ManyetikÖzdirençSayfa Adedi : 77Tez Yöneticisi : Doç. Dr. Mehmet KASAP.

Tez detayları

LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri = The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC

Yazarlar:

Yurdugül, Ümit

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2004

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000358245

Özet

Tez detayları

LEC tekniği ile büyütülen Te katkılı n-Tipi InSb yarıiletkeninde sıcaklık bağımlı manyetik ve elektron iletim özellikleri = The temperature dependent electron and magneto transport properties in Te doped n-Type InSb grown by LEC

Yazarlar: Yurdugül, Ümit

Yayıncı: Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2004

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000358245

Özet

Yazarlar:

Yurdugül, Ümit

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2004

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000358245