Tez detayları

Electro-optic characterization of a silicon microsphere = Silicon kürenin elektro-optik karakterizasyonu

Yazarlar:

Ayaz, Ulaş Kemal

Yayıncı:

Boğaziçi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar | Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2005

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000070008

Özet

In today?s world, with the development of optoelectronics, metal interconnections areno longer limiting factor for the performance of electronic systems. Replacing the metalinterconnections by optical interconnections could provide low power dissipation, lowlatenc ies, and high bandwiths. Such optical interconnections rely on the integration of microphotonicsand microelectronics. Having high quality factors, optical microsphere resonatorsare ideal circuit elements for wavelength division multiplexing. Silicon, as a commonsemiconductor the building block of the integrated circuits, also is a very importantcomponent with its optical properties. We have experimentally observed the shifts inresonance wavelengths of an electrically driven silicon microsphere of 1000 microns indiameter, in the near IR. We have used a distributed feedback (DFB) laser at 1475nm, andapplied dc voltages ranging from -17V to 9V to the microsphere and observed the respectedshifts in the resonance wavelengths around 0.005 nm to 0.080 nm.

Günümüz dünyasinda, optoelektronik alanindaki gelismelerle, metal baglantilarelektronik sistemlerin performansini sinirlayici unsur olmaktan çikiyor. Metal baglantilarioptik baglantilarla degistirmek, güç kaybini ve bilgi aktarimindaki gecikmeleri düsürüpdaha yüksek bant genisliginde bilgi iletimini saglayabilir. Optik baglantilar mikrofotonikve miktoelektronik alanlarinin bütünlesmesine baglidir. Yüksek kalite faktörleriyle, optikmikroküre çinlayicilarinin dalga bölmek ve çoklamak uygulamalari için ideal devreelemanlari olduklari ispatlanmistir. Yaygin bir yariiletken ve entegra devrelerin yapitasiolan silikon ayni zamanda optik karakteristigi açisindan önemlidir. Bu çalismalarimizda,elektrikle yönlendirilen 1000 mikron çapindaki bir silikon kürenin yakin kizilalti dalgaboylarinda, çinlama dalgaboylarindaki degismeleri deneysel olarak inceledik. 1475 nmdalgaboyunda çalisan bir geri besleme lazeri kullanarak -17 V ve 9 V araliginda dogruakimli gerilim uyguladik ve çinlama dalgaboylarinda 0.005 nm'den 0.080 nm'ye varandegisimler gözledik.

Tez detayları

Electro-optic characterization of a silicon microsphere = Silicon kürenin elektro-optik karakterizasyonu

Yazarlar: Ayaz, Ulaş Kemal

Yayıncı: Boğaziçi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar | Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2005

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000070008