RF bandpass filters being commonly used in wireless communication systems are increasingly being implemented utilizing actively simulated inductors. Implementation of bandpass filters based on active inductors holds a number of alluring characteristics including a high passband center frequency, a large center frequency tuning range, a large and tunable quality factor subsequently a low insertion loss, and a low silicon consumption. The use of active inductors in RF bandpass filters, however, is faced to several tough challenges including poor noise performance, a limited dynamic range, and a high level of power consumption. For the telecommunication applications in the UHF band (300 MHz - 3 GHz), frequency tuning range of the active inductor based bandpass filter implementations in the literature is generally between 1-3 GHz without the usage of external capacitances. LC tank circuits are commonly formed with off-chip capacitances while circuit operation requires below 1 GHz. The desired capacitance value may not be available for achieving an operation in specific frequency and on-chip varactors are used for fine tuning of the inductance value. A large area is required for implementing an on-chip varactor which needs to succeed a wide range capacitance tuning. If so, a control voltage is a must for determination of the capacitance value which is a potential burden for the bias requirements of the overall circuitry. The work done in this M.S. thesis is the design of a new wide tunable bandpass filter based on an introduced CMOS active inductor topology which consists of a back-to-back connected transistor pair together with one single transistor utilized for inductance tuning. This gyrator-C network achieves a wide tuning range with introducing an idea for the removal of the use of off-chip and on-chip capacitances by realizing inductance boosting and decaying technique for the selection of the desired frequency. Implemented in TSMC 0.18?m process, the wide tunable active inductor based bandpass filter offers a tuning range between 327 MHz and 2 GHz with a quality factor above 40.

Kablosuz haberleşme sistemlerinde yaygın bir kullanım alanına sahip olan band geçiren filtreler, artan bir şekilde aktif olarak sentezlenen endüktans devreleri kullanılarak yapılmaktadır. Aktif endüktans tabanlı yapılan band geçiren filtreler yüksek doğal frekans, geniş aralıkta ayarlanabilir frekans cevabı, yüksek ve ayarlanabilir kalite faktörü, düşük kayıp ve düşük silikon tüketimi gibi hususlarda çözüm sağlamıştır. Ancak aktif endüktansların band geçiren filtre yapımında kullanılması gürültü performansı, sınırlı dinamik menzil ve yüksek güç tüketimi konularında bir takım sıkıntılar doğurmaktadır. UHF bandındaki (300 MHz - 3 GHz) haberleşme uygulamalarında literatürdeki aktif endüktans tabanlı band geçiren filtrelerin merkez frekans aralığı herhangi bir harici kapasitör kullanımı olmadan genellikle 1-3 GHz arasındadır. Endüktans-kapasitans devreleri 1 GHz'in altında çalışma gerektiren durumlarda kullanılmaktadır. Özel bir frekansta çalışmak için gereken kapasitans değeri standart kapasitörler tarafından sağlanamadığı durumlarda silikon üzerinde varaktör kullanılarak gerekli ayarlama yapılabilir. Ancak geniş bir kapasitans ayarlama aralığına sahip bir varaktörü silikon üzerinde yapmak için geniş bir alana ihtiyaç vardır. Diğer yandan, varaktörün kapasitans değerini kontrol etmek için ilave bir voltaj kaynağına ihtiyaç oluşu, band geçiren filtrenin besleme devresine yük getirecektir. Bu tezde, yeni bir aktif endüktans bazlı band geçiren filtre tasarlanmış olup temel eleman olan aktif endüktans arka arkaya bağlı iki transistor ve endüktans ayarlaması için kullanılan ilave bir transistorden oluşmaktadır. Bu yapı endüktans değerini kendi kendine artırıp azaltmak suretiyle yapılan doğal frekans ayarlaması sayesinde harici veya silikon üzerinde kapasitör kullanma ihtiyacını ortadan kaldırmaktadır. TSMC 0.18 mikron teknolojiyle yapılan aktif endüktans tabanlı band geçiren filtre 327 MHz ve 2 GHz arasında çalışma bandında asgari 40 kalite faktörü sağlamaktadır.