Tez detayları

Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi = Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361069

Özet

In this work, the electronic, elastic and optical properties of GaAs, GaP, InAs and InP binary compounds of these compounds with the ternary (InxGa1-xAs, InxGa1-xP, InAs1-yPy and GaAs1-yPy) and (InxGa1-xAs1-yPy) quaternary alloys are investigated as a function of x and y composition by using ab initio calculations within density functional theory. For these alloys, the lattice parameters, band structures, density of state, elastic constants and bulk module are calculated. The linear photon-energy dependent dielectric functions and some optical properties curves are calculated. The results of calculations of the GaAs structure of In and P proportion InxGa1-xAs, GaAs1-yPyternary and (InxGa1-xAs1-yPy) of quaternary x and y = 0,5 values were compared the optical features. These structures as a result of symmetry points ? has a direct band gap energy range is seen. The obtained results are compared with the available experimental and theoretical data.

Bu çalışmada GaAs, GaP, InAs ve InP ikili bileşikler ile bu bileşiklerin üçlü (InxGa1-xAs, InxGa1-xP, InAsyP1-y, InAs1-yPy ve GaAs1-yPy) ve dörtlü (InxGa1-xAs1-yPy) yarı iletken alaşımlarının x ve y kompozisyonuna bağlı olarak elektronik, elastik ve optik özellikleri yoğunluk fonksiyoneli teorisine dayanan ab initio metotla çalışıldı. Alaşımların örgü parametreleri, bant yapıları, toplam durum yoğunluğu, elastik sabiti ve bulk modülü hesaplandı. Ayrıca foton enerjisine bağlı lineer dielektrik fonksiyonları, soğurma katsayısı, sönüm katsayısı, kırılma indisi, enerji-kayıp fonksiyonu ve yansıtıcılık gibi bazı optik özelliklerin scissors yaklaşımı altında hesaplandı. GaAs yapının In ve P eklenme oranlarına bağlı olarak oluşan InxGa1-xAs, GaAs1-yPy üçlü ve (InxGa1-xAs1-yPy) dörtlü alaşımlarının x ve y = 0,5 değerinde optik özellikleri karşılaştırılarak incelendi. Yapıların (GaAs1-yPy y ? 0,5 dışında) ? simetri noktasında doğrudan yasak enerji aralığına sahip olduğu görüldü. Elde edilen sonuçlar, deneysel ve teorik çalışmalarla uyumlu olduğu tespit edildi.

Tez detayları

Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi = Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures

Yazarlar:

Othman, Mazin

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361069

Özet

Tez detayları

Bazı yarı iletkenlerin elektronik, elastik ve optik özelliklerinin ab initio metodu ile incelenmesi = Ab initio calculation of electronic, elastic and optical prooerties of some semiconductor structures

Yazarlar: Othman, Mazin

Yayıncı: Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Doktora (Phd)

Yayın Tarihi: 12/2008

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000361069

Özet

Yazarlar:

Othman, Mazin

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361069