Thin ZnO films were deposited at room temperature on glass and siliconsubstrates by a pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition system. Thecrystallographic structure and the size of the crystallites in the films were studied bymeans of x-ray diffraction. These measurements show that all the films arecrystallized in the wurtzite form, present in a preferred orientation along the (002)direction. Optical properties of the ZnO films were studied using a UV?visiblespectrometer and calculations made using the envelope method. The absorptioncoefficient and optical band gap of the films were increased while the refractiveindex was decreased by annealing. The best annealing temperature for pulsedcathodic vacuum arc deposition grown ZnO thin films on glass substrates was foundto be 600 °C from optical properties.The effects of oxygen pressure and thickness on the structural, optical andelectrical properties of high quality transparent conductive ZnO thin films werestudied in detail. With increasing oxygen pressure and film thickness, structure,optical and electrical properties of films were changed. Average transmittance wasfound about 90% in the visible region for the ZnO thin films.Key Words: ZnO, Cathodic Vacuum Arc Deposition System, Optical,Structural and Electrical Properties.

ZnO yarıiletken ince filmler atmalı filtreli katodik vakum ark depolamasistemiyle cam ve silikon alt tabanlar üzerine oda sıcaklığında depolandı. Filmlerdekikristal boyut ve kristallografik yapı X-ışını kırınım yöntemiyle belirlendi. Tümfilmlerin (002) boyunca tercih edilen bir yönde ve vurtzit formda kristalize olduğugörüldü. ZnO yarıiletken ince filmlerin optik özellikleri, UV-görünürspektrometreden alınan veriler yardımıyla zarf metodu yöntemi kullanılarakbelirlendi. Tavlama sıcaklığı artarken filmlerin optiksel bant aralığı ve soğurmakatsayısının arttığı, buna karşılık olarak kırılma indisinin azaldığı gözlenmiştir.Atmalı katodik vakum ark yöntemi ile cam alt taban üzerine büyütülen ZnO incefilmlerin en iyi tavlama sıcaklığı, optik ve yapısal özellikleri göz önüne alınarak 600°C olduğu bulundu.Yüksek nitelikli geçirgen, iletken ZnO yarıiletken ince filmlerin yapısal,optiksel ve elektriksel özellikleri farklı oksijen basınçları ve farklı kalınlıklardaçalışıldı. Oksijen basıncı ve kalınlığın artması ile filmlerin yapısal, optiksel veelektriksel özelliklerinin değiştiği görüldü. ZnO ince filmlerin görünür bölgedeortalama geçirgenliği %90 civarında bulundu.Anahtar Kelimeler: ZnO, Katodik Vakum Ark Depolama Yöntemi, Optiksel,Yapısal ve Elektriksel Özellikler.