It is possible to obtain electric energy from the solar energy with the circuit elements called photovoltaic by semiconductors. The solar cell used for transformation is one of the practical applications of the solid state physics. In this studies, solar cells (tandem or multi-junction solar cells) formed as a result of epitaxial growth materials with different band gaps appeared to be more efficient. The solar cell is called III. generation tandem solar cell. One of the major structures of the tandem solar cells are photovoltaic cell obtain (In)GaAs and GaInP grown on Ge. p-n junction in Ge substrate which is first junction of Ge/(In)GaAs/GaInP tandem photovoltaic cell can be obtained the structures grown on Ge substrate at certain temperature by MOCVD. The underlying reason is a result of the diffusion into the Ge substrate. In this thesis, GaAs structure are grown on n-type Ge substrate to obtain Ge p-n junction. In this study, growth parameters such as growth temperature, growth pressure, flow rates etc. were changed to achieve an ideal pn junction. I-V measurement properties of Hall system were utilized to observe the characteristics of junctions.

Güneş enerjisini, yarıiletken malzemeler yardımıyla elektrik enerjisine dönüştürebilmemiz fotovoltaik hücre (Photovoltaik cells) olarak isimlendirilen devre elemanları ile mümkündür. Bu dönüşüm için kullanılan güneş pilleri yoğun madde fiziğinin pratik uygulamalarından birisidir. Yapılan çalışmalarda farklı enerji aralıklarına sahip malzemelerin üst üste epitaksiyel olarak büyütülmesi sonucunda oluşan güneş pillerinin (Tandem veya Multi-junction Solar Cells) daha verimli olduğu ortaya çıkmıştır. Farklı kombinasyonlarda üretilen tandem güneş hücrelerinin önemli bir kombinasyonu Ge üzerine (In)GaAs ve GaInP büyütülerek elde edilen fotovoltatik hücrelerdir. MOCVD büyütme tekniği ile Ge/(In)GaAs/GaInP tandem fotovoltaik hücrelerin ilk eklemini oluşturacak olan Ge alttaşda p-n eklemi elde etme çalışmaları belirli sıcaklıklarda difüzyon ile yapılabilir. Bu tez kapsamında, n-tipi Ge alttaş üzerine GaAs yapısı büyütülerek (Ga ve As atomlarının difüzyon hızlarının farklılığından yararlanarak) Ge p-n eklemi elde etme çalışmaları yapıldı. Bu çalışmalarda büyütme parametreleri (büyütme sıcaklığı, büyütme basıncı, akış oranları) değiştirilerek ideal bir p-n eklemi elde edilmeye çalışılmıştır. Eklemin karakteristiğini görmek amacıyla Hall sisteminin akım-voltaj (I-V) ölçüm özelliğinden yararlanılmıştır.