Tez detayları

Fabrication and characterization of ZnO: Ga/p-Si heterostructure photodiodes = ZnO: Ga/p-Si heteroyapı fotodiyotların üretimi ve karakterizasyonu

Yazarlar:

Köksal, Nur Efşan

Yayıncı:

Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2018

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000195224

Özet

The Ga-doped ZnO (GZO)/p-Si photodiodes with different thicknesses of the GZO layer were fabricated using a sol-gel method. Thin film properties were determined by means of X-Ray Diffraction, Atomic Force Microscopy, and UV-VIS spectrophotometer measurements. The average grain size, texture coefficient, RMS value and transparency of GZO films were estimated. The current-voltage characteristics of the devices were measured in the dark and under AM1.5 illumination to investigate photoelectrical properties of the devices. Some important parameters such as saturation current, ideality factors and barrier heights were obtained. The rectification ratio, photosensitivity and responsivity values were improved with presence of thinner GZO layer.The results indicate that the device with thinner GZO layer exhibited the highest performance in terms of photodiode. We reached the better device performance than those reported in the literature over AM1.5 illumination.

GZO tabakasının farklı kalınlıklarına sahip olan Ga-katkılı (GZO)/Si fotodiyotlar sol-gel yöntemi kullanılarak üretildi. İnce film özellikleri, XRD, AFM ve UV-VIS spekrometre ölçümleri yardımıyla belirlendi. GZO filmlerin ortalama tanecik büyüklüğü, doku katsayısı, RMS değeri ve transparanlığı hesaplandı. Cihazların akım-gerilim karakteristikleri, fotoelektriksel özelliklerini incelemek için AM1.5 ışığı altıında ve karanlıkta ölçüldü. Doyma akımı, idealite faktörü, bariyer yüksekliği gibi bazı önemli parametreler elde edildi. Doğrultma oranı, ışığaduyarlılık ve duyarlılık değerleri daha ince GZO tabakasının varlığıyla geliştirildi. Sonuçlar, daha ince GZO tabakasına sahip cihazın fotodiyot açısından en iyi performansı gösterdiğini belirtti. Literatürde bildirilenlere kıyasla en iyi cihaz performansına AM1.5 aydınlatmasında ulaştık.

Tez detayları

Fabrication and characterization of ZnO: Ga/p-Si heterostructure photodiodes = ZnO: Ga/p-Si heteroyapı fotodiyotların üretimi ve karakterizasyonu

Yazarlar: Köksal, Nur Efşan

Yayıncı: Ankara Yıldırım Beyazıt Üniversitesi

Ana Başlıklar: Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2018

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000195224