Tez detayları

Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE = Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

Yazarlar:

Arpapay, Burcu

Yayıncı:

Eskişehir Teknik Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2018

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000210818

Özet

Group III-V epilayers and nanostructures were grown on Si (100) substrates by molecular beam epitaxy. GaSb buffer layers on Si substrates to serve as a replacement of GaSb substrate for the Sb-based devices in the long term were investigated in terms of the surface roughness, crystal quality, defects and optical properties. Various growth treatments were carried out to enhance the GaSb epilayer quality and the obtained results were evaluated comparatively. In addition to the nominal substrates vicinal ones were used as well to minimize the common defects observed in lattice mismatch epitaxial growth. GaAs nanowires (NWs) on Si (111) substrates to be used as low dimensional functional devices were grown and the effect of growth parameters on the morphology of NWs were investigated in detail by electron microscopes. Throughout the study the grown samples were deeply analyzed by various characterization tools such as atomic force microscopy, high resolution X-ray diffraction, photoluminescence spectroscopy, scanning electron microscope and transmission electron microscope.

Bu çalışmada, moleküler demet epitaksi sistemi ile III-V grubu epi-katman ve nanoyapılar Si (100) alttaş üzerine büyütüldü. Sb tabanlı aygıtlar için kullanılan GaSb alttaş yerine Si alttaş üzerine büyütülen GaSb epi-katmanların yüzey pürüzlülüğü, kristal kalitesi, kusur yoğunluğu ve optik özellikleri incelendi. Kristal kalitesini iyileştirmek adına çeşitli büyütme yöntemleri uygulandı ve elde edilen sonuçlar karşılaştırmalı olarak değerlendirildi. Ayrıca örgü uyumsuzluğundan kaynaklanan kusur oluşumlarını indirgemek için farklı özellikte Si alttaşlar kullanıldı ve sonuçları incelendi. Düşük boyutta fonksiyonel aygıtlar için önemli olan Si (111) alttaş üzerine GaAs nanoteller büyütüldü ve elektron mikroskobu tekniği ile büyütme parametrelerinin GaAs nanotel morfolojisine etkisi araştırıldı. Tüm çalışmada büyütülen örnekler, atomic kuvvet mikroskobu, yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı, fotolüminesans, ve elektron mikroskobu gibi tekniklerle detaylı olarak analiz edildi ve sonuçları sunuldu.

Tez detayları

Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE = Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

Yazarlar: Arpapay, Burcu

Yayıncı: Eskişehir Teknik Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Doktora (Phd)

Yayın Tarihi: 12/2018

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000210818