Epitaxially grown III-V group semiconductor nanostructures have been investigated by means of electron microscopy techniques. Particularly, InAs/GaSb type-II superlattice (SL) structures designed as infrared photodetector and InAs/GaAs self-assembled quantum dots (QDs) have been analysed by scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM) and scanning transmission electron microscopy (STEM) techniques. Structures used in this study were grown by molecular beam epitaxy (MBE) and extensively characterized for their structural properties such as layer thicknesses, interface properties, surface qualities and compositional properties. The same imaging techniques have also been used for surface characterization of GaSb epilayers and observation of both InAs and AlSb QDs. The acquired results have shown that undesired features and defects evidenced on the surfaces of the epilayers grown under different conditions can be avoided once proper actions are taken. Also, a significant amount of work in this study has been devoted to develop an effective, reproducible and reliable cross-section sample preparation recipe for the studied material systems.

Epitaksiyel olarak büyütülen III-V grubu yarıiletken nanoyapılar elektron mikroskopi teknikleri ile araştırılmıştır. Özellikle, kızılötesi fotoalgılayıcı olarak tasarlanan InAs/GaSb tip-II süperörgü (SL) ve kendiliğinden oluşan InAs/GaAs kuantum nokta (QD) yapılar taramalı elektron mikroskobu (SEM), geçirimli elektron mikroskobu (TEM) ve taramalı geçirimli elektron mikroskobu (STEM) ile incelenmiştir. Bu çalışmada kullanılan yapılar, moleküler demet epitaksi (MBE) ile büyütülmüş ve tabaka kalınlıkları, arayüz özellikleri, yüzey kaliteleri gibi yapısal özellikleri ve bileşimsel özellikleri bakımından kapsamlı olarak karakterize edilmiştir. Aynı görüntüleme teknikleri GaSb epikatmanların yüzey karakterizasyonu ve AlSb kuantum noktaların gözlenmesi için de kullanılmıştır. Elde edilen sonuçlar, farklı koşullar altında büyütülen epikatmanların yüzeylerinde görülen istenmeyen özelliklerin ve kusurların uygun eylemler uygulandığında önlenebileceğini göstermiştir. Ayrıca, bu çalışmanın önemli bir kısmı çalışılan malzeme sistemleri için etkin, tekrarlanabilir ve güvenilir bir yan-kesit numune hazırlama reçetesi geliştirilmesine adanmıştır.