Tez detayları

InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi = The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361226

Özet

The 1,3 and 1,5 ?m emission wavelength InxGa1-xAsyP1-y/InP multi quantumwell (MQW) laser diode structures used in this work were grown using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The fabrication ofridge waveguide Fabry-Perot laser diodes with different passivation layers (SiO2and SiNx) were made using photolithography system. The laser parameteranalysing results shows that the laser diode with SiO2 passivation layer haslower threshold current, differential resistance and higher output power. Toimprove the ohmic contact properties the Transmission Line Model (TLM)samples were fabricated. According to our knowledge, the Au and non-Aubased rare earth metal silicate ohmic contacts were formed for the first timeand the analyzing of ohmic contacts were performed using TLM. As a result,the obtained specific contact resistivities were found in the same order ofnowadays optoelectronic device?s contact resistivities.

Bu çalışmada kullanılan 1,3 ve 1,55 ?m ışıma dalgaboylu InxGa1-xAsyP1-y/InPçoklu kuantum kuyulu lazer diyot yapıları metal organik kimyasal buharbiriktirme (MOCVD) tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen yapıların çatı dalgakılavuzlu Fabry-Perot lazer diyot fabrikasyonu farklı tipteki pasivasyontabakaları (SiO2 ve SiNx) kullanılarak fotolitografi sistemi yardımıyla yapıldı.Lazer diyot parametre analizleri sonucunda, SiO2 pasivasyon tabakalı lazerindaha düşük eşik akımına, diferansiyel dirence ve daha yüksek çıkış gücünesahip olduğu görüldü. p-InGaAs kontak tabakalı lazer diyotlar için omikkontakların geliştirilmesi amacıyla Transmisyon Çizgi Modeli (TLM)numunelerinin fabrikasyonu yapıldı. Bilgimiz dahilinde, p-InGaAs tabakası içinaltın içeren ve içermeyen nadir bulunur metal silikat omik kontaklar ilk defaoluşturularak, kontakların analizi TLM kullanılarak gerçekleştirildi. Yapılananalizler sonucunda, elde edilen karakteristik kontak direncinin günümüzoptoelektronik aygıtlarının sahip olduğu karakteristik kontak direnci ile aynımertebede olduğu görüldü.

Tez detayları

InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi = The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters

Yazarlar:

Bengi, Aylin

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361226

Özet

Tez detayları

InGaAsP/InP çoklu kuantum kuyulu çatı dalga kılavuzlu lazer diyotların fabrikasyonu ve lazer diyot parametre analizi = The fabrication of InGaAsP/InP multi quantum well ridge waveguide laser diodes and the analysis of lazer diode parameters

Yazarlar: Bengi, Aylin

Yayıncı: Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Doktora (Phd)

Yayın Tarihi: 12/2008

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000361226

Özet

Yazarlar:

Bengi, Aylin

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2008

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361226