Tez detayları

Yüksek voltaj ve düşük kaçak akım için ald ile pasive edilmiş mıs hemt üretimi = Fabrication of mis hemt passivated by ald for high voltage and low leakage current

Ana Başlıklar:

Teknoloji

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2018

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000353004

Anahtar sözcükler:

Bilim Ve Teknoloji

Özet

In this study, AlGaN/GaN heterostructures on silicon have been used to fabricate and characterize metal-insulator-semiconductor (MIS) high electron mobility transistors (HEMT). Atomic layer deposited (ALD) aluminum oxide (Al2O3) gate dielectric has been used to decrease leakage current. Different Al2O3 layer thicknesses have been used to minimize current leakages to obtain a high voltage MIS HEMT. The trend in gate leakage, threshold voltage and breakdown voltage was studied for the fabricated devices. A negative shift in the threshold voltage was observed for increasing Al2O3 thickness. Gate leakage and breakdown voltage have improved with the use of Al2O3 gate dielectric. An increase in breakdown voltage and a decrease in gate leakage was observed as the passivation thickness decreased.

Bu çalışmada, silikon üzerine büyütülen AlGaN/GaN heterojen yapı, metal-yalıtkan-yarı iletken (MIS) yüksek elekton mobiliteli transistörleri (HEMT) üretmek ve karakterize etmek için kullanılmıştır. Akım kaçaklarının azaltılması için kapı metalinin altına atomik tabaka kaplama (ALD) yöntemi kullanılarak alüminyum oksit (Al2O3) ara pasivasyon tabaka kaplaması yapılmıştır. Böylece, farklı kalınlıklarda Al2O3 kaplaması ile akım kaçaklarının minimum seviyeye indirilerek, yüksek gerilim ile çalışan MIS HEMT üretimi gerçekleştirilmiştir. Hazırlanan aygıtların kapı kaçak akımı, eşik voltajı ve kırılma gerilimi değişimleri incelenmiştir. Al2O3 kaplama kalınlığı arttığında eşik voltajının negatif yönde arttığı görülmüştür. Kapı kaçak akımı ve kırılma gerilimi Al2O3 ara pasivasyon malzemesi kullanıldığında iyileşmiştir. Kalınlık azaldıkça, kaçak akımın azaldığı ve kırılma geriliminin arttığı görülmüştür.

Tez detayları

Yüksek voltaj ve düşük kaçak akım için ald ile pasive edilmiş mıs hemt üretimi = Fabrication of mis hemt passivated by ald for high voltage and low leakage current

Yazarlar:

Gülcü, Deniz

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Teknoloji

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2018

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000353004

Anahtar sözcükler:

Bilim Ve Teknoloji

Özet

Tez detayları

Yüksek voltaj ve düşük kaçak akım için ald ile pasive edilmiş mıs hemt üretimi = Fabrication of mis hemt passivated by ald for high voltage and low leakage current

Yazarlar: Gülcü, Deniz

Yayıncı: Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Teknoloji

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2018

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000353004

Anahtar sözcükler:

Bilim Ve Teknoloji

Özet

Yazarlar:

Gülcü, Deniz

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Teknoloji

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2018

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000353004