Tez detayları

Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi = The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2009

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361356

Özet

In this study, the frequency and temperature dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of the Au/SnO2/n-Si (MIS) structure were investigated by considering series resistance (Rs) and interface state (Nss) effects in the frequency and temperature ranges of 100 Hz-1 MHz and 100-400 K, respectively. The values of Nss and Rs were determined to be strongly dependent on the frequency and temperature. The series resistance decreases both with increasing frequency and with increasing temperature. Also, the measured capacitance (Cm) and conductance (Gm/w) values were corrected for the effect of series resistance to obtain the real capacitance and conductance of MIS structure. Experimental results show that an interfacial insulator layer thickness between metal and semiconductor, series resistance and interface states play an important role on the electrical characteristics of MIS structure.Key Words : MIS structures; Electric properties; Frequency and temperature dependence; Series resistance; Interface states.

Bu çalışmada, Au/SnO2/n-Si (MIS) yapının, frekans ve sıcaklığa bağlı kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum (Nss) etkileri dikkate alınarak, sırasıyla 100 Hz-1 MHz frekans ve 100-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Nss ve Rs değerlerinin önemli ölçüde frekans ve sıcaklığa bağlı olduğu tespit edildi. Seri direnç hem artan frekans hem de artan sıcaklık ile azalmaktadır. Ayrıca, ölçülen kapasitans (Cm) ve iletkenlik (Gm/w) değerleri MIS yapının gerçek kapasitans ve iletkenliğini bulmak için, seri direnç etkisinden dolayı düzeltilmiştir. Deneysel sonuçlar, metal-yarıiletken arasındaki arayüzey yalıtkan tabaka kalınlığı, seri direnç ve arayüzey durumları MIS yapının elektriksel karakteristikleri üzerinde önemli bir rol oynadığını göstermiştir.Anahtar Kelimeler : MIS yapılar; Elektrik özellikler; Frekans ve sıcaklığa bağlılık; Seri direnç; Arayüzey durumlar.

Tez detayları

Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi = The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures

Yazarlar:

Kirazoğlu, Faruk

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2009

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361356

Özet

Tez detayları

Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi = The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures

Yazarlar: Kirazoğlu, Faruk

Yayıncı: Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Yüksek Lisans

Yayın Tarihi: 12/2009

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000361356

Özet

Yazarlar:

Kirazoğlu, Faruk

Yayıncı:

Gazi Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Yüksek Lisans

Yayın Tarihi:

12/2009

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000361356