IV ABSTRACT Ph. D. Thesis DETERMINATION OF QUANTUM YIELD VALUES OF GaAIAs/GaAs TRANSMISSION MODE PHOTOCATHODES Ömer Faruk FARSAKOGLU Ankara University Graduate School of Natural and Applied Sciences Department of Physics Supervisor: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Page: 111 Jury: Assoc. Prof. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ The energy-band structure and the detection media of GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been investigated. The spectral variation of the quantum yield of these photocathodes for a low light level imaging at the interval of 600-900 nm depending on the energy-band structure and the parameters such as the diffusion length L, the normalized surface recombination velocity S^ Cs-0 surface escape probability P, GaAs active layer with a thickness d and GaAs optical obsorption coefficients a(hv) were calculated. On the spectral region used; the effect of the variation of the parameters on the quantum yield and its spectral dependence was determined. When Sj^ values are not available without taking into account internal excitations, the spectral dependence of the quantum yield is found out to be vanishing. By calculating the internal excitation function with taking into account internal excitations in GaAs active layer, the effect of the internal quantum efficiency rj^ on the variation of (L, SN) surfaces of the quantum yield, its spectral dependence and the external quantum efficiency on the three orthogonal axes was investigated. When Sj^ values are not available, the spectral dependence of the quantum yield occurs due to the internal excitations. rjin values to be obtained from GaAIAs/GaAs transmission mode photocathodes have been determined by the variation of (L, S^) surfaces on the orthogonal projection. KEYWORDS: GaAIAs/GaAs Transmission Mode Photocathode, Image Intensification, Quantum Yield, Spectral Dependence of Quantum Yield, Internal Quantum Efficiency, External Quantum Efficiency, Diffusion Length, Normalized Surface Recombination Velocity.

m ÖZET Doktora Tezi GEÇİŞ MODUNDA GaAlAs/GaAs FOTOKATOTLARIN KUANTUM VERİMİ DEĞERLERİNİN BELİRLENMESİ Ömer Faruk FARSAKOĞLU Ankara Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Fizik Anabilim Dalı Danışman: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN 1991, Sayfa: 111 Jüri: Doç. Dr. D. Mehmet ZENGİN Prof. Dr. Necmi SERİN Prof. Dr. Kerim KIYMAÇ Geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatotlann enerji-band yapılan ve algılama ortamı incelenmiştir. Görüntü yoğunlaştırmada düşük yoğunlukta foton algılanması ile elektron görüntüsü sağlayan bu fotokatotlann incelenen enerji-band yapısı baz alınarak ve difüzyon uzunluğu L, normalize edilmiş yüzey yeniden birleştirme hızı Sj^, Cs-0 yüzeyinden elektron çıkma olasılığı P, GaAs aktif tabaka kalınlığı d ve optik soğurma katsayüanna a(hv) bağlı kalınarak kuantum verimi değerlerinin 600-900 nm band aralığında spektral değişimi hesaplanmıştır. Kullanılan spektral bölge içerisinde; bu parametrelerin değişimlerinin kuantum verimi ve kuantum veriminin spektral bağımlılığına etkisi belirlenmiştir. İç uyanlmalar ihmal edildiğinde; Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığının ortadan kalktığı görülmektedir. GaAs aktif tabaka içerisinde iç uyarma etkisinin gözönüne alınmasıyla iç uyarma fonksiyonu hesaplanarak kuantum verimi, kuantum veriminin spektral bağımlılığı ve dış kuantum veriminin üçlü ortogonal sistemde (L, SN) yüzey değişimlerine iç kuantum verimi Tliç'in etkisi incelenmiştir. Sj^ değerlerinin mevcut olmaması durumunda kuantum veriminin spektral bağımlılığı iç uyarma etkisinden dolayı oluşmaktadır. Üçlü ortogonal sistemde (L, Sj^) yüzey değişimlerinden geçiş modunda GaAlAs/GaAs fotokatodun t^ değerlerinin elde edilebileceği belirlen miştir. ANAHTAR KELİMELER: Geçiş Modunda GaAlAs/GaAs Fotokatot, Görüntü Yoğunlaştırma, KuantunfVerimi, Kuantum Verimi nin Spektral Bağımlılığı, İç Kuantum Verimi, Dış Ku antum Verimi, Difüzyon Uzunluğu, Normalize Edil miş Yüzey Yeniden Birleşme Hızı.