Tez detayları

InSe ve InSe: Mn yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve Schottky diyot davranışları = The effect of electric field on band gap energy of InSe and InSe: Mn semiconductors and their Schottky diode behavior

Yazarlar:

Tekle, Tuba

Yayıncı:

Atatürk Üniversitesi

Ana Başlıklar:

Fizik

Belge Tipi:

Tezler

Program Tipi:

Doktora (Phd)

Yayın Tarihi:

12/2011

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000223969

Özet

The optical absorption measurements of InSe and InSe:Mn semiconductor crystals grown by Bridgman-Stockbarger method have been carried out as a function of temperature with 10 K increments in the range 10-320 K. The variations of exciton and band gap energies of the crystals have been investigated as a function of temperature. It has been the doping of the Mn element to the structure of InSe had increased the absorption intensity of InSe crystal and caused the shifting of the absorption edge towards the shorter wavelength. A potential of 35 V was applied to the samples and its effect on optical absortption has been investigated. After then, the current-voltage (I-V) characteristics of Metal/InSe/In and Metal/InSe:Mn/In Schottky diodes have been taken with 20 K increments in the range 140-380 K. The experimental barrier height decreased while ideality factor increased as the temperature decreased. This behaviour has been attributed to the barrier inhomogeneities by assuming a Gaussian distribution of barrier heights at the metal-semiconductor interface.

Bridgman-Stockbarger metoduyla büyütülen InSe ve InSe:Mn yarıiletken kristallerin sıcaklığa bağlı optik soğurma ölçüleri 10-320 K sıcaklık aralığında, 10 K'lik adımlarla alınmıştır. Eksiton ve yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişimi incelenmiştir. Yapıya katkılanan Mn elementi InSe kristalinin optik soğurma şiddetini artırmış ve soğurma kıyısının daha kısa dalga boyu tarafa kaymasına neden olmuştur. Numunelere 35 V'luk gerilim uygulanarak elektrik alanın soğurma üzerine etkisi incelenmiştir. Daha sonra, Metal/InSe/In ve Metal/InSe:Mn/In diyotlarının akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 140-380 K sıcaklık aralığında 20 K'lik adımlarla alınmıştır. Sıcaklığın azalması ile idealite faktöründe artma, engel yüksekliğinde ise azalma gözlemlenmiştir. Bu davranış, metal yarıiletken arayüzeylerde engel yüksekliğinin Gaussian dağılıma sahip olduğu varsayılarak engel inhomojenliğine atfedilmiştir.

Tez detayları

InSe ve InSe: Mn yarı iletkenlerinin yasak enerji aralığına elektrik alanın etkisi ve Schottky diyot davranışları = The effect of electric field on band gap energy of InSe and InSe: Mn semiconductors and their Schottky diode behavior

Yazarlar: Tekle, Tuba

Yayıncı: Atatürk Üniversitesi

Ana Başlıklar: Fizik

Belge Tipi: Tezler

Program Tipi: Doktora (Phd)

Yayın Tarihi: 12/2011

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000223969