Cu2ZnSnS4 (CZTS), whose elements are abundant in nature, is a new type of absorber for thin film solar cells. CZTS is a semiconductor with direct band gap 1.5 eV band gap and p-type electrical conductivity. As an alternative to CZTS thin films in this work, Cu2ZnTiS4 thin films were deposited on glass by reactive sputtering technique. High purity ZnS and Cu and Ti metals were used as targets and H2S was used as reactive gas. Cu2ZnTiS4 thin films were deposited at different temperatures and in different H2S gas flows and then annealed in H2S environment. Morphological, structural and optical properties of Cu2ZnTiS4 thin films were investigated with the help of scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive spectroscopy (EDS), X-ray diffraction (XRD) and UV-vis data. the agglomeration on the surface increased with increasing substrate temperature. XRD peaks of Cu2ZnTiS4 thin films were found to be compatible with Cu2ZnSnS4 structure. It was also found that the optical bandwidth of Cu2ZnTiS4 films was lower than that of conventional Cu2ZnSnS4 thin films.

İçeriğindeki elementlerin doğada bolca bulunduğu Cu2ZnSnS4 (CZTS), ince film güneş pilleri için yeni bir tip soğurucudur. CZTS p-tipi elektrik iletkenliğine sahip doğrudan bant aralıklı 1,5 eV bant genişliğine sahip bir yarıiletkendir. Bu çalışmada CZTS ince filmlerine alternatif olarak, Cu2ZnTiS4 ince filmler cam üzerine reaktif eş zamanlı saçtırma tekniği ile biriktirilmiştir. Hedef olarak yüksek saflıkta ZnS ve Cu ve Ti metalleri ve reaktif gaz olarak ise H2S kullanılmıştır. Cu2ZnTiS4 ince filmleri, farklı sıcaklıklarda ve farklı H2S gaz akışlarında biriktirilmiş ve ardından H2S ortamında tavlanmıştır. Cu2ZnTiS4 ince filmlerinin morfolojik, yapısal ve optik özellikleri taramalı elektron mikroskopisi (SEM), enerji dağılımlı spektroskopi (EDS), X-ışını kırınımı (XRD) ve UV-vis verileri yardımı ile incelenmiştir. Sıcaklık arttıkça topaklanmanın arttığı görülmüştür. Cu2ZnTiS4 ince filmlerinin XRD piklerinin, Cu2ZnSnS4 yapısı ile uyumlu olduğu görülmüştür. Ayrıca, Cu2ZnTiS4 filmlerin optik bant aralıklarının geleneksel Cu2ZnSnS4 ince filmlerinkinden daha düşük olduğu görülmüştür.