Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Yavuz ATASOY

Makale detayları

Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Yazarlar:

Yavuz ATASOY

Yayıncı:

Igdir University

Ana Başlıklar:

Fizik

Dergi:

Journal of the Institute of Science and Technology 2019 Vol.9 Issue 4, pp.2088-2096

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

11/2019

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000464681

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2536-4618

Özet:

 

In this study, Cu(In,Ga)(Se1-yTey)2 thin films were obtained by evaporation of the bulk form compound with electron beam followed by annealing at elevated temperature. The X-ray diffraction patterns (XRD), Raman spectra, surface images and atomic concentration measurements of the samples were analyzed and compared with the structural properties of the undoped and low Te doped samples. In XRD patterns, it was observed that a phase separation such as Cu(In,Ga)Se2 and CuIn3Se5 formed in the CIGS thin film, but with the Te content, this phase separation was disappeared. Experimental values of A1 Raman modes of the samples were compared with the values obtained by a theoretical approach. It was seen that the film surface became more uniform and the particles formed in sub-micron dimensions as the Te content increase in the film. Similarly, it was observed that the composition profile in the structure improved (the amount of Ga increased) and that the targeted amount of Te almost entered the structure.

 


Bu çalışmada Cu(In,Ga)(Se1-yTey)2 ince filmleri, külçe formundaki yapının elektron demeti ile buharlaştırılıp yüksek sıcaklıkta tavlanması ile elde edildi. Örneklerin X-ışını kırınım desenleri (XRD), Raman spektrumları, yüzey görüntüleri ile atomik konsantrasyon ölçümleri alınarak katkısız ve düşük Te katkılı örneklerin yapısal özellikleri ayrıntılı olarak incelenerek karşılaştırıldı. XRD desenlerinde, katkısız CIGS ince filminde, Cu(In,Ga)Se2 ve CuIn3Se5 gibi bir faz ayrışımının ortaya çıktığı, Te katkısı ile beraber faz ayrışımının ortadan kalktığı görüldü. Örneklere ait A1 Raman modlarının deneysel değerleri, teorik bir yaklaşımla elde edilen değerler ile karşılaştırıldı. Yüzey fotoğrafları incelendiğinde, Te katkısı ile beraber film yüzeyinin daha düzgün (uniform) hale geldiği ve tanelerin mikron-altı boyutlarında oluştuğu görüldü. Benzer şekilde, yapıdaki kompozisyon profilinin iyileştiği (Ga miktarının arttığı) ve hedeflenen miktarda Te’ün neredeyse yapıya girdiği görüldü.

.

Makale detayları

Düşük Tellür Katkılı CuInGaSe2 İnce Filmlerin Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi

Yazarlar: Yavuz ATASOY

Yayıncı: Igdir University

Ana Başlıklar: Fizik

Dergi: Journal of the Institute of Science and Technology 2019 Vol.9 Issue 4, pp.2088-2096

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 11/2019

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000464681

Sıklık: Üç Aylık

eISSN: 2536-4618

Sayı

Yazarlar:

Yavuz ATASOY

Yayıncı:

Igdir University

Ana Başlıklar:

Fizik

Dergi:

Journal of the Institute of Science and Technology 2019 Vol.9 Issue 4, pp.2088-2096

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

11/2019

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000464681

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2536-4618