Modeling the Thermal Annealing Process of Schottky Barrier Diodes with ANFIS

Hülya Doğan

Makale detayları

Modeling the Thermal Annealing Process of Schottky Barrier Diodes with ANFIS

Yazarlar:

Hülya Doğan

Yayıncı:

Igdir University

Ana Başlıklar:

Yarı İletkenler | Yoğun Madde Fiziği (Diğer)

Dergi:

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi Vol.14 Issue 2, pp.696-705

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

1/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001317814

pISSN:

2536-4618

Anahtar kelimeler:

Özet:

 ÖZET: Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları SBDler için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin ANFIS kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Nin-GaAsIn Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 Cden 6000 Ce kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.

 ÖZET: Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları SBDler için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin ANFIS kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Nin-GaAsIn Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 Cden 6000 Ce kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.

 ÖZET: Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları SBDler için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin ANFIS kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Nin-GaAsIn Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 Cden 6000 Ce kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.

 Bu çalışmada, Schottky bariyer diyotları SBDler için termal tavlama işleminin modellenmesi ve tahmin edilmesi için uyarlanabilir ağ tabanlı bulanık çıkarım sisteminin ANFIS kullanılmasına yönelik bir yöntem önerilmiştir. Laboratuvar ortamında Nin-GaAsIn Schottky bariyer diyotlar üretildi ve Schottky kontaklar üzerinden diyotun gerilim ve akım parametreleri 2000 Cden 6000 Ce kadar 1000 C sıcaklık adımları kullanılarak ölçüldü. SBD kontaklarına ait gerilim, akım ve tavlama sıcaklığı parametreleri deneysel olarak elde edildi. Bu parametreler termal tavlama işleminin ana faktörleri olarak seçilmiştir. ANFIS sisteminin eğitimi için bu üç parametreyi içeren deneysel veriler kullanılmıştır. Deneysel verilerin eğitimi için genelleştirilmiş bell üyelik fonksiyonu içeren hibrit bir ANFIS modeli kullanıldı. Sonuçlara göre, Schottky bariyer diyotların tavlama sürecinin modellenmesinde önerdiğimiz ANFIS modeli verimli ve doğru sonuçlar vermiştir.

Makale detayları

Modeling the Thermal Annealing Process of Schottky Barrier Diodes with ANFIS

Yazarlar:

Hülya Doğan

Yayıncı:

Igdir University

Ana Başlıklar:

Yarı İletkenler | Yoğun Madde Fiziği (Diğer)

Dergi:

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi Vol.14 Issue 2, pp.696-705

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

1/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001317814

pISSN:

2536-4618

Anfis

Schottky

AnnealingAnfis

Schottky

Tavlama

Sayı

Makale detayları

Modeling the Thermal Annealing Process of Schottky Barrier Diodes with ANFIS

Yazarlar: Hülya Doğan

Yayıncı: Igdir University

Ana Başlıklar: Yarı İletkenler | Yoğun Madde Fiziği (Diğer)

Dergi: Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi Vol.14 Issue 2, pp.696-705

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 1/2024

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2001317814

pISSN: 2536-4618

Anfis

Schottky

AnnealingAnfis

Schottky

Tavlama

Sayı

Yazarlar:

Hülya Doğan

Yayıncı:

Igdir University

Ana Başlıklar:

Yarı İletkenler | Yoğun Madde Fiziği (Diğer)

Dergi:

Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi Vol.14 Issue 2, pp.696-705

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

1/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001317814

pISSN:

2536-4618