UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

İsmail Yücel

Makale detayları

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Yazarlar:

İsmail Yücel

Yayıncı:

Isparta University of Applied Sciences

Ana Başlıklar:

Elektrik Mühendisliği (Diğer) | Güneş Enerjisi Sistemleri

Dergi:

Yalvaç Akademi Dergisi Vol.9 Issue 2, pp.129-137

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

10/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001330357

pISSN:

2548-0820

Anahtar kelimeler:

Özet:

 Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot N katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAsın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi DFT ile gerçekleştirilmiştir. GaAsın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAsın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.

 Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot N katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAsın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi DFT ile gerçekleştirilmiştir. GaAsın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAsın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.

 Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot N katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAsın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi DFT ile gerçekleştirilmiştir. GaAsın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAsın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.

 Bu çalışma, uçak teknolojisinde kullanılan GaAs yarıiletkenlerinde azot N katkısının elektronik ve optik özellikler üzerindeki etkilerini incelemiştir. GaAsın yüksek performanslı elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki rolü göz önüne alındığında, azot katkısının etkileri teorik olarak değerlendirilmiştir. Çalışma, WIEN2k yazılımı kullanılarak Yoğunluk Fonksiyonel Teorisi DFT ile gerçekleştirilmiştir. GaAsın örgü sabitinin 5,7515 Å, GaAs0,75N0,25in ise 5,5413 Å olduğunu göstermiştir. Azot katkısının örgü parametresinde belirgin bir azalmaya yol açtığı gözlemlenmiştir. Elektronik özelliklerde, yasak band enerjisinin katkısız GaAs için 1,63 eV, azot katkılı GaAs0,75N0,25 için ise 0,61 eV olduğu hesaplanmıştır. Bu, malzemenin yüksek hızlı ve verimli elektronik devrelerde daha etkili performans sağlama potansiyelini ortaya koymaktadır. Optik özelliklerde, GaAsın dielektrik sabiti 11,68, GaAs0,75N0,25in ise 9,64 olarak hesaplanmıştır. Azot katkısının dielektrik fonksiyonları ve yansıma katsayılarında belirgin değişikliklere yol açtığı, özellikle yansıma katsayısında azalmaya neden olduğu bulunmuştur. Bu bulgular, uçak teknolojisindeki optik kaplamalar ve radar gizlilik uygulamaları için önemli olabilir. Bu çalışma, GaAs ve GaAs0,75N0,25 bileşiklerinin uçak teknolojisinde yüksek performanslı yarıiletkenler için potansiyelini değerlendirmektedir. Azot katkısının etkileri, malzemelerin optimize edilmesi ve performanslarının artırılması için faydalı bilgiler sunmaktadır.

Makale detayları

UÇAK ELEKTRİK-ELEKTRONİĞİNDE GaAs YARIİLETKENLERİNDE AZOT-ARSENİK YER DEĞİŞİMİNİN ELEKTRONİK VE OPTİK ÖZELLİKLER ÜZERİNDEKİ ETKİLERİ

Yazarlar:

İsmail Yücel

Yayıncı:

Isparta University of Applied Sciences

Ana Başlıklar:

Elektrik Mühendisliği (Diğer) | Güneş Enerjisi Sistemleri

Dergi:

Yalvaç Akademi Dergisi Vol.9 Issue 2, pp.129-137

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

10/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001330357

pISSN:

2548-0820

Uçak teknolojileri

Havacılık teknolojileri

Güneş hücreleri

Lazer teknolojileri

Sensor teknolojileri

Elektronik özellikler

Optik Özellikler.

Sayı

Makale detayları

Yazarlar: İsmail Yücel

Yayıncı: Isparta University of Applied Sciences

Ana Başlıklar: Elektrik Mühendisliği (Diğer) | Güneş Enerjisi Sistemleri

Dergi: Yalvaç Akademi Dergisi Vol.9 Issue 2, pp.129-137

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 10/2024

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2001330357

pISSN: 2548-0820

Sayı

Yazarlar:

İsmail Yücel

Yayıncı:

Isparta University of Applied Sciences

Ana Başlıklar:

Elektrik Mühendisliği (Diğer) | Güneş Enerjisi Sistemleri

Dergi:

Yalvaç Akademi Dergisi Vol.9 Issue 2, pp.129-137

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

10/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001330357

pISSN:

2548-0820