The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys

İsmail YÜCEL; Seyfettin ÇAKMAK

Makale detayları

The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys

Yazarlar:

İsmail YÜCEL | Seyfettin ÇAKMAK

Yayıncı:

Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar:

Fizik

Dergi:

Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science 2017 Vol.12 Issue 1, pp.30-40

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

7/2017

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000582732

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

1306-7575

Özet:

 


In this study, the structural and electronic
properties of TlGa1-xInxTe2alloys have been investigated using the full potential
linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method within the density functional
theory (DFT). The TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50,
0.75) alloys have tetragonal structure as in TlInTe2 and TlGaTe2
alloys. We create the crystal structure of these alloys using the P1 
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 
 
 

 
 space group. We found that the value of the
lattice parameter a and volume of unit cell increases with increasing In
concentrations. These alloys have characteristics of semiconductors. Moreover,
we show that the band gap energy is dependent on the alloy composition index x.
The calculated band gap energies indicate that all the studied alloys here are
characterized by narrow band-gap semiconductors. The finding of this study
motivates further future studies for
concerning quaternary TlGa1-xInxTe2 for
x=0.25, 0.50 and 0.75 alloys.


.

 


Bu
çalışmada, yoğunluk fonksiyonel
teorisi dahilinde lineer
genişletilmiş düzlem dalga metodu kullanılarak TlGa1-xInxTe2
alaşımlarının yapısal ve elektronik özellikleri incelendi. TlGa1-xInxTe2
(x=0.25, 0.50, 0.75) alaşımları, TlInTe2 ve TlGaTe2
alaşımları gibi tetragonal yapıya sahiptir. Alaşımların Kristal yapıları P1 (
 
 
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
  
 
 
 

 
) uzay grubu kullanılarak elde edildi. Yapısal
hesaplamalardan, birim hücre içerisindeki In konsantrasyonunun artışı ile örgü
parametresi a ve birim hücre hacminin arttığını tespit edildi. Incelenen
alaşımların, elektronik band yapı ve durum yoğunluğu hesaplamalarından,
yarıiletken özellik sergilediğini bulundu. Ayrıca, alaşımların yasak band
enerjisinin x konsantrasyonuna bağlı olarak değiştiği tespit edildi. Hesaplanan
yasak band enerjileri alaşımların dar band aralıklı yarıiletken olduğunu
göstermektedir.  Bu çalışmanın bulduları
dörtlü TlGa1-xInxTe2 (x=0.25, 0.50, 0.75)
alaşımları ile ilgilenen araştırmacılar için iyi bir referans çalışma
olacaktır.


.

Makale detayları

The Structural and Electronic Properties of TlGa1-xInxTe2 (x=0.00, 0.25, 0.50, 0.75) Alloys

Yazarlar: İsmail YÜCEL | Seyfettin ÇAKMAK

Yayıncı: Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar: Fizik

Dergi: Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science 2017 Vol.12 Issue 1, pp.30-40

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 7/2017

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000582732

Sıklık: İki Yıllık

eISSN: 1306-7575

Sayı

Yazarlar:

İsmail YÜCEL | Seyfettin ÇAKMAK

Yayıncı:

Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar:

Fizik

Dergi:

Süleyman Demirel University Faculty of Arts and Science Journal of Science 2017 Vol.12 Issue 1, pp.30-40

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

7/2017

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000582732

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

1306-7575