Metal Kompleks Ara Katmanlı Schottky Diyotun Elektriksel ve Optik Parametrelerin Belirlenmesi

Fatma Zehra Bayat; Mustafa Şeker; Hülya Doğan

Makale detayları

Metal Kompleks Ara Katmanlı Schottky Diyotun Elektriksel ve Optik Parametrelerin Belirlenmesi

Yazarlar:

Fatma Zehra Bayat | Mustafa Şeker | Hülya Doğan

Yayıncı:

Sivas Cumhuriyet University

Ana Başlıklar:

Yarı İletkenler

Dergi:

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi Vol.2 Issue 1, pp.16-24

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001311968

pISSN:

3023-7203

Anahtar kelimeler:

Özet:

 Bu çalışmada RutenyumII metal kompleks p tipi silisyum Si üzerine spin kaplayıcı spin coater yöntemi ile ara katman olarak biriktirildi. On yedi 17 AlRuIIkompleksp-SiAl noktası aynı şartlar altında üretildi ve bunların akım-voltaj IV özellikleri oda sıcaklığında, hem karanlıkta hem de 100mWcm2 aydınlatma altında alındı. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görüldü. Her noktanın idealite faktörü n, bariyer yüksekliği Φb, doğrultma oranı RR ve seri direnci Rs, termiyonik emisyon TE teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlendi. Karanlıkta, n ve Φb değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca AlRuIIkompleksp-SiAl diyotlarından birisinin R12 kodlu oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mWcm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim C-V ölçümlerinden Φb, difüzyon potansiyeli Vd ve taşıyıcı konsantrasyonu Na hesaplanmıştır. Fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, dolum faktörü FF ve deneysel verimlilik η hesaplandı R12 kodlu diyotun ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A,  62,9 ve 0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık  R ve spesifik detektivite D değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, RuII metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir.

 Bu çalışmada RutenyumII metal kompleks p tipi silisyum Si üzerine spin kaplayıcı spin coater yöntemi ile ara katman olarak biriktirildi. On yedi 17 AlRuIIkompleksp-SiAl noktası aynı şartlar altında üretildi ve bunların akım-voltaj IV özellikleri oda sıcaklığında, hem karanlıkta hem de 100mWcm2 aydınlatma altında alındı. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görüldü. Her noktanın idealite faktörü n, bariyer yüksekliği Φb, doğrultma oranı RR ve seri direnci Rs, termiyonik emisyon TE teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlendi. Karanlıkta, n ve Φb değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca AlRuIIkompleksp-SiAl diyotlarından birisinin R12 kodlu oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mWcm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim C-V ölçümlerinden Φb, difüzyon potansiyeli Vd ve taşıyıcı konsantrasyonu Na hesaplanmıştır. Fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, dolum faktörü FF ve deneysel verimlilik η hesaplandı R12 kodlu diyotun ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A,  62,9 ve 0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık  R ve spesifik detektivite D değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, RuII metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir.

 Bu çalışmada RutenyumII metal kompleks p tipi silisyum Si üzerine spin kaplayıcı spin coater yöntemi ile ara katman olarak biriktirildi. On yedi 17 AlRuIIkompleksp-SiAl noktası aynı şartlar altında üretildi ve bunların akım-voltaj IV özellikleri oda sıcaklığında, hem karanlıkta hem de 100mWcm2 aydınlatma altında alındı. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görüldü. Her noktanın idealite faktörü n, bariyer yüksekliği Φb, doğrultma oranı RR ve seri direnci Rs, termiyonik emisyon TE teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlendi. Karanlıkta, n ve Φb değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca AlRuIIkompleksp-SiAl diyotlarından birisinin R12 kodlu oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mWcm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim C-V ölçümlerinden Φb, difüzyon potansiyeli Vd ve taşıyıcı konsantrasyonu Na hesaplanmıştır. Fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, dolum faktörü FF ve deneysel verimlilik η hesaplandı R12 kodlu diyotun ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A,  62,9 ve 0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık  R ve spesifik detektivite D değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, RuII metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir.

 Bu çalışmada RutenyumII metal kompleks p tipi silisyum Si üzerine spin kaplayıcı spin coater yöntemi ile ara katman olarak biriktirildi. On yedi 17 AlRuIIkompleksp-SiAl noktası aynı şartlar altında üretildi ve bunların akım-voltaj IV özellikleri oda sıcaklığında, hem karanlıkta hem de 100mWcm2 aydınlatma altında alındı. Tüm diyotların doğrultucu davranış sergilediği görüldü. Her noktanın idealite faktörü n, bariyer yüksekliği Φb, doğrultma oranı RR ve seri direnci Rs, termiyonik emisyon TE teorisi ve modifiye edilmiş Norde fonksiyonuna göre belirlendi. Karanlıkta, n ve Φb değerleri 17 diyot için sırasıyla 1,238- 2,932 ve 0,643-0,874 eV aralığında bulunmuştur. Ayrıca AlRuIIkompleksp-SiAl diyotlarından birisinin R12 kodlu oda sıcaklığındaki fotovoltaik ve fotodiyot özelliklerine karanlıkta ve 100 mWcm2 ışık yoğunluğunda uygulanan farklı ışık şiddetleri altında ve elektriksel karakterizasyon için karanlık ortamda kapasitans-gerilim C-V ölçümlerinden Φb, difüzyon potansiyeli Vd ve taşıyıcı konsantrasyonu Na hesaplanmıştır. Fotovoltaik parametrelerden açık devre voltajı Voc, kısa devre akımı Isc, dolum faktörü FF ve deneysel verimlilik η hesaplandı R12 kodlu diyotun ve sırasıyla 339x10-3 V ve 13,1x10-6A,  62,9 ve 0,514 olarak bulunmuştur. Fotodiyot parametrelerinden foto duyarlılık  R ve spesifik detektivite D değerleri de hesaplanmış ve bu deneysel bulgulardan, RuII metal kompleks ince film tabanlı yapıların optoelektronik cihazların gelişiminde kullanılabileceği söylenebilir.

Makale detayları

Metal Kompleks Ara Katmanlı Schottky Diyotun Elektriksel ve Optik Parametrelerin Belirlenmesi

Yazarlar: Fatma Zehra Bayat | Mustafa Şeker | Hülya Doğan

Yayıncı: Sivas Cumhuriyet University

Ana Başlıklar: Yarı İletkenler

Dergi: Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi Vol.2 Issue 1, pp.16-24

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 6/2024

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2001311968

pISSN: 3023-7203

Schottky Diyot

Metal Kompleks

Fotovoltaik

Fotodiyot

Sayı

Yazarlar:

Fatma Zehra Bayat | Mustafa Şeker | Hülya Doğan

Yayıncı:

Sivas Cumhuriyet University

Ana Başlıklar:

Yarı İletkenler

Dergi:

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Dergisi Vol.2 Issue 1, pp.16-24

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001311968

pISSN:

3023-7203