YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU

Ayşe Seyhan

Makale detayları

YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU

Yazarlar:

Ayşe Seyhan

Yayıncı:

Nigde Omer Halisdemir University

Ana Başlıklar:

Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Dergi:

Nigde Omer Halisdemir University Journal of Engineering Sciences 2019 Vol.8 Issue 2, pp.1307-1314

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

7/2019

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000763382

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2564-6605

Anahtar kelimeler:

Özet:

 


   c-Silicon
(c-Si) heterojunction technology consisting of thin amorphous silicon layers on
monocrystalline silicon wafers is an important research topic studied by many
researchers and scientist in the field of photovoltaic in recent years. Silicon
heterojunction solar cell technology is a solar cell technology that has proven
itself with high energy conversion efficiency, competitive industrial
production cost and has the ability to integrate newly developed technologies
into its structure. In this study, the fabrication stages and characterization
of silicon heterojunction solar cells are studied in detail. The a-Si: H thin
film properties such as thickness, bandgap, carrier lifetime of solar cells
were investigated and optimized via ellipsometer, profilometer and carrier
lifetime. A 19,7 % efficient solar cell was fabricated on a 6-inch n-type c-Si wafers
with intrinsic amorphous thin-layer structure (c-Si HIT). 


.

 


   Tek kristalli silisyum (Si) alttaşlar
üzerine ince a-Si tabakalardan oluşan c-silisyum heteroeklem teknolojisi son
yıllarda fotovoltaik (FV) alanında bir çok araştırmacı ve bilim adamı
tarafından çalışılan önemli bir araştırma konusudur. Silisyum  heteroeklem güneş hücre teknolojisi, yüksek enerji
dönüşüm verimliliği ve rekabetçi seri üretim maliyeti ile kendisini ispat etmiş
ve yeni geliştirilen teknolojileri bünyesine entegre edebilme kabiliyeti ile
potansiyelini ortaya koymuş bir güneş hücresi teknolojisidir Bu çalışmada,
silisyum heteroeklem güneş hücrelerinin üretim aşamaları ve karakterizasyonu
detaylı bir şekilde çalışılmıştır. a-Si:H incefilmlerin kalınlık, bant aralığı
ve taşıyıcı yaşam süresi gibi özellikleri elipsometre, profilometre ve taşıyıcı
yaşam süresi cihazı ile araştırılmış ve optimizasyonu yapılmıştır. 6 inç n-tipi
c-Si alttaş üzerine büyütülen katkısız ince film tabakalı heteroeklem
(heterojunction with intrinsic thin-layer, HIT) yapısı ile %19,7 verimli güneş
hücresi üretilmiştir.  


.

Makale detayları

YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU

Yazarlar:

Ayşe Seyhan

Yayıncı:

Nigde Omer Halisdemir University

Ana Başlıklar:

Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Dergi:

Nigde Omer Halisdemir University Journal of Engineering Sciences 2019 Vol.8 Issue 2, pp.1307-1314

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

7/2019

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000763382

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2564-6605

Heteroeklem güneş hücresi

c-Si HIT

a-Si:H ince film

PECVD

PVD

Sayı

Makale detayları

YÜKSEK VERİMLİ KRİSTAL SİLİSYUM (c-Si) HETEROEKLEM GÜNEŞ HÜCRELERİ ÜRETİMİ VE KARAKTERİZASYONU

Yazarlar: Ayşe Seyhan

Yayıncı: Nigde Omer Halisdemir University

Ana Başlıklar: Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Dergi: Nigde Omer Halisdemir University Journal of Engineering Sciences 2019 Vol.8 Issue 2, pp.1307-1314

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 7/2019

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000763382

Sıklık: Üç Aylık

eISSN: 2564-6605

Heteroeklem güneş hücresi

c-Si HIT

a-Si:H ince film

PECVD

PVD

Sayı

Yazarlar:

Ayşe Seyhan

Yayıncı:

Nigde Omer Halisdemir University

Ana Başlıklar:

Mühendislik ve uygulamalı operasyonlar

Dergi:

Nigde Omer Halisdemir University Journal of Engineering Sciences 2019 Vol.8 Issue 2, pp.1307-1314

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

7/2019

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000763382

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2564-6605