Comparative study on the properties of CuInSe2 and CuGaSe2 thin film

İdris CANDAN; Hasan Hüseyin GÜLLÜ

doi:https://doi.org/10.31590/ejosat.491331

Makale detayları

Comparative study on the properties of CuInSe2 and CuGaSe2 thin film

Yazarlar:

İdris CANDAN | Hasan Hüseyin GÜLLÜ

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2019 Vol. Issue 15, pp.77-85

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920088

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.491331

Anahtar kelimeler:

Özet:

 


Two edge of Cu(In1-xGax)Se2
(CIGS) thin film semiconductors for x=0 (CuInSe2) and x=1 (CuGaSe2)
have been produced onto the soda lime glass substrates at 250 oC by
sputtering from Cu, InSe and GaSe targets. The effects of In and Ga ratio and
the post-annealing at 350 oC and 400 oC on the properties
of CuInSe2 (CIS) and CuGaSe2 (CGS) thin film samples have
been investigated. The structural properties of the deposited films have been examined
by using X-ray diffraction (XRD) and the compositions of samples were analyzed
by performing energy dispersive X-ray diffraction analysis (EDXA) techniques.
Raman spectra of thin film samples were studied at room temperature to
determine the Raman active modes. The most intensive line (A1 modes)
at 178 cm-1 and 185 cm-1 were observed for CIS and CGS
thin films annealed at 400 oC, respectively. This is the most active
mode detected in the Raman spectra of this type of chalcopyrite structures. For
as-grown and annealed CGS thin films at 350 oC , the line 486 cm-1
was observed however intensity of this line decreased with increasing annealing
temperature and totally disappeared after annealing at 400 oC. Optic
transmission measurements showed that the deposited CIS and CGS thin films have
optic band gap values for as grown and 
annealed (at 400 oC)  samples
changing from 1.28 eV  to 1.45 eV and
from 1.68 eV to 1.75 eV respectively. The room temperature electrical
conductivities of the samples were measured as 8.6x10-3 and 13.6x10-2
(Ω.cm)-1 for n-type CIS thin film samples; 1.6 and 1.9 (Ω.cm)-1
for p-type CGS thin film samples before and after annealing at 400 oC,
respectively.


.

 


Cu(In1-xGax)Se2
(CIGS) yarıiletken ince filmlerin iki kenar noktası olan x=0 (CuInSe2)
ve x=1 (CuGaSe2) ince filmleri, Cu, InSe ve GaSe hedeflerden
saçtırma yöntemi ile 250 oC sıcaklıkta soda lime cam alttaşlar
üzerine kaplandı. In ve Ga oranı ve üretim sonrası ısıl işlemin CuInSe2
(CIS) ve CuGaSe2 (CGS) ince filmlerin özellikleri üzerine etkileri
araştırıldı. Üretilmiş filmlerin yapısal özelliklerini incelemek için  X-ışını kırınımı (XRD) ve örneklerin
bileşenleri enerji dağılımlı X-ışını kırınımı analizi (EDXA) yöntemi
kullanılarak analiz edildi. İnce film örneklerinin Raman aktif modlarının
tayini için oda sıcaklığında Raman spektroskopi ölçümleri yapıldı. 400 oC
sıcaklıkta ısıl işlem uygulanmış CIS ve CGS ince film örneklerinin en aktif
modları (A1 modu) en yoğun çizgilerin sırayla 178 cm-1 ve
185 cm-1 olduğu gözlendi. Bu mod kalkopirit yapıların Raman spektroskopisinde
gözlemlenen en güçlü moddur. Isıl işlem uygulanmamış ve 350 oC’ta
ısıl işlem uygulanmış CGS örneklerinde 486 cm-1 çizgisi gözlenmiş
olmasına rağmen bu çizginin yoğunluğu artan ısıl işlem sıcaklığı ile ters
orantılı olarak azaldığı ve 400 oC uygulanan ısıl işlem sonrası
tamamen yok olduğu gözlenmiştir. Üretilen CIS ve CGS ince filmlerin optik
geçirgenlik ölçümleri sonucunda ısıl işlem uygulanmayan filmler ve at 400 oC
sıcaklıkta ısıl işlem uygulanan filmler için optik bant aralıklarındaki değişim
değerleri CIS için 1.28 eV ile  1.45 eV,
CGS için 1.68 eV ile 1.75 eV aralıklarında değiştiği  hesaplandı. Numunelerin oda sıcaklığındaki
elektriksel iletkenlikleri ısıl işlem öncesi ve 400 oC ısıl işlem
sonrasında n-CIS için sırayla 8.6x10-3 ve 13.6x10-2
(Ω.cm)-1, p-CGS için sırayla 1.6 and 1.9 (Ω.cm)-1 olarak
ölçüldü.


.

Makale detayları

Comparative study on the properties of CuInSe2 and CuGaSe2 thin film

Yazarlar:

İdris CANDAN | Hasan Hüseyin GÜLLÜ

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2019 Vol. Issue 15, pp.77-85

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920088

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.491331

CIS

CGS

İnce Filmler

Saçtırma

XRD

Raman Spektroskopisi

Sayı

Makale detayları

Comparative study on the properties of CuInSe2 and CuGaSe2 thin film

Yazarlar: İdris CANDAN | Hasan Hüseyin GÜLLÜ

Yayıncı: Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar: Uygulamalı fizik

Dergi: European Journal of Science and Technology 2019 Vol. Issue 15, pp.77-85

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 3/2019

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000920088

Sıklık: Üç Aylık

eISSN: 2148-2683

DOI: https://doi.org/10.31590/ejosat.491331

CIS

CGS

İnce Filmler

Saçtırma

XRD

Raman Spektroskopisi

Sayı

Yazarlar:

İdris CANDAN | Hasan Hüseyin GÜLLÜ

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2019 Vol. Issue 15, pp.77-85

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920088

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.491331