The Effects of Different Ga Doping on Structural, Optical and Electrical Properties of CdO Films

H. Senem AYDOĞU; Gökhan ÇABUK; M. Burak ÇOBAN

doi:https://doi.org/10.19113/sdufenbed.459950

Makale detayları

The Effects of Different Ga Doping on Structural, Optical and Electrical Properties of CdO Films

Yazarlar:

H. Senem AYDOĞU | Gökhan ÇABUK | M. Burak ÇOBAN

Yayıncı:

Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

Süleyman Demirel University Journal of Natural and Applied Sciences 2019 Vol.23 Issue 1, pp.140-147

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000553453

Sıklık:

Üç Yıllık

eISSN:

1308-6529

DOI:

https://doi.org/10.19113/sdufenbed.459950

Özet:

 


CdO
and CdO:Ga films were produced using
the ultrasonic spray pyrolysis method. The structural, optical and
electrical properties of produced films were defined by
x-ray diffraction pattern (XRD), UV–VIS spectrophotometer and electrical
measurements, respectively. The XRD patterns show that all the
films deposited at 275 ±
5 °C are in
face center cubic polycrystalline structure. The optic band gaps of Ga doped
films were obtained with the optical method and observed to change from 2.50 to
2.66 eV with the increase of Ga doping. Additionally, the resistivity,
conductivity and I–V characteristics of the samples are investigated with four
point and two point probe methods. It is clearly seen that the electrical
properties of CdO have improved with the appropriate Ga doping. The best
conductivity was obtained with 4% and 8% Ga doping of CdO films.  

.

 

CdO ve CdO:Ga filmleri ultrasonik sprey piroliz
metodu kullanılarak üretilmiştir. Üretilen filmlerin yapısal, optiksel ve
elektriksel özellikleri sırasıyla, x ışını kırınım deseni (XRD), UV-VIS spektrofotometresi
ve elektriksel ölçümleri ile tanımlanmıştır. XRD desenleri 275 ±
5 °C
sıcaklığında biriktirilen bütün filmlerin yüzey
merkezli kübik polikristal yapıya sahip olduğunu göstermektedir. Ga katkılı
filmlerin optik band aralıkları optik metod ile elde edildi ve Ga katkısının
artması ile 2.50 eV’den 2.66 eV’a değiştiği gözlenmiştir. Bunlara ek olarak,
örneklerin özdirençleri, iletkenlikleri ve I – V karakteristikleri dört nokta
prob ve iki nokta prob metodları ile incelendi. Ga’un uygun katkısı ile CdO’nun
elektriksel özelliklerini geliştirdiği açıkça görülmüştür. En iyi iletkenliğin CdO
filmlerinin %4 ve %8 Ga katkısıyla elde edildi.

Makale detayları

The Effects of Different Ga Doping on Structural, Optical and Electrical Properties of CdO Films

Yazarlar: H. Senem AYDOĞU | Gökhan ÇABUK | M. Burak ÇOBAN

Yayıncı: Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar: Uygulamalı fizik

Dergi: Süleyman Demirel University Journal of Natural and Applied Sciences 2019 Vol.23 Issue 1, pp.140-147

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 3/2019

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000553453

Sıklık: Üç Yıllık

eISSN: 1308-6529

DOI: https://doi.org/10.19113/sdufenbed.459950

Sayı

Yazarlar:

H. Senem AYDOĞU | Gökhan ÇABUK | M. Burak ÇOBAN

Yayıncı:

Süleyman Demirel University

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

Süleyman Demirel University Journal of Natural and Applied Sciences 2019 Vol.23 Issue 1, pp.140-147

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000553453

Sıklık:

Üç Yıllık

eISSN:

1308-6529

DOI:

https://doi.org/10.19113/sdufenbed.459950