Development of AZO TCOs with ALD for HEMT and HJSC Solar Cell Applications

Deniz Tugrul; Hüseyin Çakmak; Ekmel Özbay; Bilge İmer

Makale detayları

Development of AZO TCOs with ALD for HEMT and HJSC Solar Cell Applications

Yazarlar:

Deniz Tugrul | Hüseyin Çakmak | Ekmel Özbay | Bilge İmer

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Mühendislik

Dergi:

Politeknik Dergisi Vol.26 Issue 1, pp.209-214

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2023

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2001285709

pISSN:

2147-9429

Anahtar kelimeler:

Özet:

 Transparent Conductive Oxide TCO films are widely used in optoelectronic devices, such as solar cells, LEDs, and Lasers. Utilization of these contacts directly affects the device efficiencies. Purpose of this study is to produce and optimize properties of Aluminum doped Zinc Oxide AZO using a vapor phase technique, Atomic Layer Deposition ALD for n a-Si:H surface of silicon Heterojunction Solar Cells HJSCs and High Electron Mobility Transistor HEMT applications. This study is focused on the effect of the deposition temperature and aluminum atomic concentration on structural, electrical and optical properties of ALD grown AZO ohmic contact films. The results show that as-deposited films have 80-90 transmittance in the visible spectra, low resistance 2.04x10-3 ohm.cm and mobility value of 5.25 cm2V.s.

 Transparent Conductive Oxide TCO films are widely used in optoelectronic devices, such as solar cells, LEDs, and Lasers. Utilization of these contacts directly affects the device efficiencies. Purpose of this study is to produce and optimize properties of Aluminum doped Zinc Oxide AZO using a vapor phase technique, Atomic Layer Deposition ALD for n a-Si:H surface of silicon Heterojunction Solar Cells HJSCs and High Electron Mobility Transistor HEMT applications. This study is focused on the effect of the deposition temperature and aluminum atomic concentration on structural, electrical and optical properties of ALD grown AZO ohmic contact films. The results show that as-deposited films have 80-90 transmittance in the visible spectra, low resistance 2.04x10-3 ohm.cm and mobility value of 5.25 cm2V.s.

 Transparent Conductive Oxide TCO films are widely used in optoelectronic devices, such as solar cells, LEDs, and Lasers. Utilization of these contacts directly affects the device efficiencies. Purpose of this study is to produce and optimize properties of Aluminum doped Zinc Oxide AZO using a vapor phase technique, Atomic Layer Deposition ALD for n a-Si:H surface of silicon Heterojunction Solar Cells HJSCs and High Electron Mobility Transistor HEMT applications. This study is focused on the effect of the deposition temperature and aluminum atomic concentration on structural, electrical and optical properties of ALD grown AZO ohmic contact films. The results show that as-deposited films have 80-90 transmittance in the visible spectra, low resistance 2.04x10-3 ohm.cm and mobility value of 5.25 cm2V.s.

 Transparan İletken Oksit TCO ince filmler günümüzde güneş pilleri, LEDler, lazerler gibi optoelektronik cihazlarda sıklıkla kullanılmaktadır. Bu kontakların kullanımı cihazların verimliliğini doğrudam etkilemektedir. Bu çalışmanın amacı heteroeklemli güneş hücrelerinin HJSCs n a-Si:H yüzünde ve yüksek elektron hareketliliği olan tranzistörlerde HEMT kullanmak üzere atomik katman kaplama ALD tekniği kullanarak alüminyum katkılı çinko oksit AZO üretmek ve optimize etmektir. Bu çalışmada büyütme sıcaklığı ve alüminyum katkılama oranının ALDde büyütülmüş AZOnun yapısal, elektriksel ve optik özelliklerine etkisi çalışılmıştır.Sonuçlar göstermiştir ki filmler görünür bölgede 80-90 arasında ışık geçirgenliğine, düşük elektriksel rezistansa 2.04x10-3 ohm.cm ve 5.25 cm2V.s değerinde mobiliteye sahiptir.

Makale detayları

Development of AZO TCOs with ALD for HEMT and HJSC Solar Cell Applications

Yazarlar:

Deniz Tugrul | Hüseyin Çakmak | Ekmel Özbay | Bilge İmer

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Mühendislik

Dergi:

Politeknik Dergisi Vol.26 Issue 1, pp.209-214

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2023

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2001285709

pISSN:

2147-9429

Atomic layer deposition (ALD)

aluminum doped zinc oxide (AZO)

transparent conductive oxide (TCO)

non-alloyed ohmic contacts

GaN HEMT contact

Atomik katman kaplama (ALD)

alüminyum katkılı çinko oksit (AZO)

transparan iletken oksitler (TCO)

alaşımlanmamış omik kontaklar

GaN HEMT contak

Sayı

Makale detayları

Yazarlar: Deniz Tugrul | Hüseyin Çakmak | Ekmel Özbay | Bilge İmer

Yayıncı: Gazi University

Ana Başlıklar: Mühendislik

Dergi: Politeknik Dergisi Vol.26 Issue 1, pp.209-214

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 3/2023

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2001285709

pISSN: 2147-9429

Sayı

Yazarlar:

Deniz Tugrul | Hüseyin Çakmak | Ekmel Özbay | Bilge İmer

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Mühendislik

Dergi:

Politeknik Dergisi Vol.26 Issue 1, pp.209-214

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

3/2023

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2001285709

pISSN:

2147-9429