In(x)Al(1-x)As   Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Hüseyin SARI; Harry H. WİEDER

Makale detayları

In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Yazarlar:

Hüseyin SARI | Harry H. WİEDER

Yayıncı:

Balıkesir University

Dergi:

Journal of Balıkesir University Institute of Science and Technology 2006 Vol.8 Issue 1, pp.38-45

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

5/2006

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000925938

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

2536-5142

pISSN:

1301-7985

Anahtar kelimeler:

Özet:

 

The persistent photoconductivity effect in InxAl1-xAs compound semiconductors has been investigated as a function of indium composition. Different InxAl1-xAs epitaxial layers (0.10 ≤ x ≤ 0.34) in a InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs like heterostructure were grown by molecular beam epitaxy on (001) GaAs substrate and InxAl1-xAs layer was δ-doped with silicon. In order to compensate the lattice mismatch between epitaxial layers and their substrate, step graded buffer layer was used. The carrier concentration in the InxAl1-xAs/ InxGa1-xAs interface as a function of temperature and optical excitation has been measured. Critical temperature for these compounds is estimated to be as TC=200 ± 10 K. PPC effect was observed in all samples with the highest percent change in In0.15Al0.85As sample.

 

Inx 1-xAs bileşik yarıiletken malzemelerde kalıcı fotoiletkenlik etki indiyum komposizyonuna bağlı olarak incelendi. InxAl1-xAs bileşiği (0.10 ≤ x ≤ 0.34 ), daha düşük enerji aralığına sahip olan InyGa1-yAs ile birlikte heteroyapı oluşturmaya elverişli olacak şekilde yarıyalıtkan GaAs alttaşı üzerinde molekül demetli epitaksi (MBE) yöntemi kullanılarak büyütüldü ve InxAl1-xAs katmanı büyütme sırasında silikon ile düzlemsel olarak katkılandı. Alttaş ile film arasında oluşan örgü uyuşmazlığı, basamak şeklinde tampon ara filmler büyütülerek giderildi. Kalıcı fotoiletkenlik etki, InxAl1-xAs/InyGa1-yAs arayüzeyde oluşan iki boyutlu elektron gaz yoğunluğu sıcaklığın fonksiyonu ve optik uyarılmaya bağlı olarak Hall yöntemi ile ölçüldü. Kritik sıcaklık TC=200 ± 10 K olarak bulundu. İncelenen örneklerin hepsinde fotoiletkenlik gözlendi ve fotoiletkenliğin en büyük değeri In0.15Al0.85As bileşiğinde ölçüldü.

Makale detayları

In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Yazarlar:

Hüseyin SARI | Harry H. WİEDER

Yayıncı:

Balıkesir University

Dergi:

Journal of Balıkesir University Institute of Science and Technology 2006 Vol.8 Issue 1, pp.38-45

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

5/2006

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000925938

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

2536-5142

pISSN:

1301-7985

DX merkezleri

bileşik yarıiletkenler

InAlAs

kalıcı fotoiletkenlik

MODFET

Sayı

Makale detayları

In(x)Al(1-x)As Bileşik Yarıiletken Malzemelerde Kalıcı Fotoiletkenlik

Yazarlar: Hüseyin SARI | Harry H. WİEDER

Yayıncı: Balıkesir University

Dergi: Journal of Balıkesir University Institute of Science and Technology 2006 Vol.8 Issue 1, pp.38-45

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 5/2006

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000925938

Sıklık: İki Yıllık

eISSN: 2536-5142

pISSN: 1301-7985

DX merkezleri

bileşik yarıiletkenler

InAlAs

kalıcı fotoiletkenlik

MODFET

Sayı

Yazarlar:

Hüseyin SARI | Harry H. WİEDER

Yayıncı:

Balıkesir University

Dergi:

Journal of Balıkesir University Institute of Science and Technology 2006 Vol.8 Issue 1, pp.38-45

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

5/2006

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000925938

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

2536-5142

pISSN:

1301-7985