Electronic properties of double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells as dependent on well width

Ozan OZTURK; Emine OZTURK; Sezai ELAGOZ

doi:https://doi.org/10.17776/csj.520766

Makale detayları

Electronic properties of double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells as dependent on well width

Yazarlar:

Ozan OZTURK | Emine OZTURK | Sezai ELAGOZ

Ana Başlıklar:

Astronomi ve ilgili bilimler

Dergi:

Cumhuriyet Science Journal 2019 Vol.40 Issue 2, pp.471-476

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920589

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.520766

Anahtar kelimeler:

Özet:

 

Herein, the electronic properties of double Ga1-x Alx As/GaAs quantum wells (A model) and
Ga1-x Inx As/GaAs quantum wells (B model) have
been examined related to the well width. The wave functions, the subband
energies and the probability densities of these systems under effective mass
approach were determined by the solution of Schrödinger equation. According to
the results obtained, the major diversities of A and B models are the effective
mass and the energy gap. For A model, GaAlAs is the barrier and GaAs is the
well. Whereas for B model, GaAs is the barrier and GaInAs is the well. Also,
the potential depth and the energy levels of A model are continuously smaller
than of B model. The well width has a great impact on the electronic features
of the double quantum well (DQW). These features have a convenient attention
for the purpose of adjustable semiconductor devices.

 


Bu çalışmada, çift Ga1-x Alx As/GaAs kuantum kuyularının (A yapısı) ve Ga1-x Inx As/GaAs /GaAs kuantum kuyularının (B yapısı) elektronik
özellikleri kuyu genişliğine bağlı olarak incelenmiştir. Etkin kütle yaklaşımı
kullanılarak, Schrödinger denkleminin çözümüyle enerji seviyeleri, dalga
fonksiyonları ve bu sistemin olasılık yoğunlukları hesaplanmıştır. Elde edilen
sonuçlara göre, A ve B yapısının temel farklılıkları yasak enerji aralığı ve
etkili kütledir. A yapısı için engel GaAlAs ve kuyu GaAs’dır. B yapısı için ise
engel GaAs ve kuyu GaInAs’dır. Ayrıca, A yapısının potansiyel yüksekliği ve
enerji seviyeleri her zaman B yapısından düşüktür. Kuyu genişliği, çift kuantum
kuyusunun (DQW) elektronik özellikleri üzerinde büyük bir etkiye sahiptir. Bu
özellikler, ayarlanabilir yarı iletken cihazların tasarımı için pratik bir
ilgiye sahiptir.

.

Makale detayları

Electronic properties of double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells as dependent on well width

Yazarlar:

Ozan OZTURK | Emine OZTURK | Sezai ELAGOZ

Ana Başlıklar:

Astronomi ve ilgili bilimler

Dergi:

Cumhuriyet Science Journal 2019 Vol.40 Issue 2, pp.471-476

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920589

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.520766

Çift GaAlAs/GaAs kuantum kuyusu

Çift GaInAs/GaAs kuantum kuyusu

Kuyu genişliği

elektronik özellikler

Sayı

Makale detayları

Electronic properties of double GaAlAs/GaAs and GaInAs/GaAs quantum wells as dependent on well width

Yazarlar: Ozan OZTURK | Emine OZTURK | Sezai ELAGOZ

Ana Başlıklar: Astronomi ve ilgili bilimler

Dergi: Cumhuriyet Science Journal 2019 Vol.40 Issue 2, pp.471-476

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 6/2019

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000920589

DOI: https://doi.org/10.17776/csj.520766

Çift GaAlAs/GaAs kuantum kuyusu

Çift GaInAs/GaAs kuantum kuyusu

Kuyu genişliği

elektronik özellikler

Sayı

Yazarlar:

Ozan OZTURK | Emine OZTURK | Sezai ELAGOZ

Ana Başlıklar:

Astronomi ve ilgili bilimler

Dergi:

Cumhuriyet Science Journal 2019 Vol.40 Issue 2, pp.471-476

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2019

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000920589

DOI:

https://doi.org/10.17776/csj.520766