SILAR Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Yapısal, Yüzey ve Optik Özelliklerine Nikel Katkısının Etkisinin İncelenmesi

İlker Kara; Ahmet Furkan Kayis; Özcan Yalçınkaya

Makale detayları

SILAR Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Yapısal, Yüzey ve Optik Özelliklerine Nikel Katkısının Etkisinin İncelenmesi

Yazarlar:

İlker Kara | Ahmet Furkan Kayis | Özcan Yalçınkaya

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Yoğun Maddenin Yapısal Özellikleri

Dergi:

Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi Vol.5 Issue 2, pp.90-100

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

11/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001332270

pISSN:

2757-5543

Anahtar kelimeler:

Özet:

 İnce film teknolojileri, modern elektronik ve optoelektronik cihazların gelişiminde önemli bir rol oynamakta olup, yüksek performanslı ve düşük maliyetli malzemelerin üretimine olanak tanıyarak birçok uygulama alanında büyük ilgi çekmektedir. Özellikle, FTO Flor katkılı Kalay Oksit tabanlar üzerinde büyütülen dopantlı ZnO yarı iletken malzemeleri, güneş pilleri, gaz sensörleri ve biyosensörler gibi birçok uygulama için önemli adaylardır. Bu çalışmada, SILAR yöntemi kullanılarak hazırlanan saf FTOZnO ve nikel Ni katkılı, 1 Ni FTOZnO, 2 Ni FTOZnO ve 3 Ni FTOZnO ince filmlerin yapısal, yüzey ve optik özelliklerine nikelin katkısının etkisi incelenmiştir. Üretilen filmlerin yapısal analizleri X-ışını kırınımı XRD ve taramalı elektron mikroskobu SEM gibi teknikler kullanılarak gerçekleştirilmiş ve nikel katkılı FTOZnO ince filmlerin kristal yapılarında ve yüzey morfolojilerinde önemli değişiklikler tespit edilmiştir. Ayrıca, optik özellikler UV-Vis spektroskopisi kullanılarak incelenmiş ve nikelin filmlerin optik özelliklerine etkisi ayrıntılı bir şekilde değerlendirilmiştir. ZnO ince filmlerdeki nikel dopant seviyeleri 1 ila 3 arasında değiştirilmiştir. SEM-EDS analizleri, üretilen ZnO ince filmlerin küme benzeri yapılar oluşturduğunu göstermiştir. Bu yapıların, nikel içeriğine bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Üretilen örnekler arasında en homojen yüzey dağılımının 3 Ni-FTOZnO örneğinde olduğu gözlemlenmiştir. XRD analizleri, örneklerin baskın kırınım piklerini SnO2 FTO-taban olarak tanımlamış ve çoğunlukla 101, 202 ve 211 düzlemleri boyunca yönlendirilmiş bir tetragonal kristal yapının olduğunu ortaya koymuştur. Ni-dopant konsantrasyonu arttıkça, filmlerde pik yoğunluklarında artışlar ve yarı-pik genişliklerinde azalmalar gözlemlenmiş, bu da üretilen örneklerin güneş hücresi teknolojilerinde, yarı iletken tabanlı gaz sensörlerinde ve benzer alanlarda potansiyel kullanımını vurgulamaktadır.

 İnce film teknolojileri, modern elektronik ve optoelektronik cihazların gelişiminde önemli bir rol oynamakta olup, yüksek performanslı ve düşük maliyetli malzemelerin üretimine olanak tanıyarak birçok uygulama alanında büyük ilgi çekmektedir. Özellikle, FTO Flor katkılı Kalay Oksit tabanlar üzerinde büyütülen dopantlı ZnO yarı iletken malzemeleri, güneş pilleri, gaz sensörleri ve biyosensörler gibi birçok uygulama için önemli adaylardır. Bu çalışmada, SILAR yöntemi kullanılarak hazırlanan saf FTOZnO ve nikel Ni katkılı, 1 Ni FTOZnO, 2 Ni FTOZnO ve 3 Ni FTOZnO ince filmlerin yapısal, yüzey ve optik özelliklerine nikelin katkısının etkisi incelenmiştir. Üretilen filmlerin yapısal analizleri X-ışını kırınımı XRD ve taramalı elektron mikroskobu SEM gibi teknikler kullanılarak gerçekleştirilmiş ve nikel katkılı FTOZnO ince filmlerin kristal yapılarında ve yüzey morfolojilerinde önemli değişiklikler tespit edilmiştir. Ayrıca, optik özellikler UV-Vis spektroskopisi kullanılarak incelenmiş ve nikelin filmlerin optik özelliklerine etkisi ayrıntılı bir şekilde değerlendirilmiştir. ZnO ince filmlerdeki nikel dopant seviyeleri 1 ila 3 arasında değiştirilmiştir. SEM-EDS analizleri, üretilen ZnO ince filmlerin küme benzeri yapılar oluşturduğunu göstermiştir. Bu yapıların, nikel içeriğine bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Üretilen örnekler arasında en homojen yüzey dağılımının 3 Ni-FTOZnO örneğinde olduğu gözlemlenmiştir. XRD analizleri, örneklerin baskın kırınım piklerini SnO2 FTO-taban olarak tanımlamış ve çoğunlukla 101, 202 ve 211 düzlemleri boyunca yönlendirilmiş bir tetragonal kristal yapının olduğunu ortaya koymuştur. Ni-dopant konsantrasyonu arttıkça, filmlerde pik yoğunluklarında artışlar ve yarı-pik genişliklerinde azalmalar gözlemlenmiş, bu da üretilen örneklerin güneş hücresi teknolojilerinde, yarı iletken tabanlı gaz sensörlerinde ve benzer alanlarda potansiyel kullanımını vurgulamaktadır.

 İnce film teknolojileri, modern elektronik ve optoelektronik cihazların gelişiminde önemli bir rol oynamakta olup, yüksek performanslı ve düşük maliyetli malzemelerin üretimine olanak tanıyarak birçok uygulama alanında büyük ilgi çekmektedir. Özellikle, FTO Flor katkılı Kalay Oksit tabanlar üzerinde büyütülen dopantlı ZnO yarı iletken malzemeleri, güneş pilleri, gaz sensörleri ve biyosensörler gibi birçok uygulama için önemli adaylardır. Bu çalışmada, SILAR yöntemi kullanılarak hazırlanan saf FTOZnO ve nikel Ni katkılı, 1 Ni FTOZnO, 2 Ni FTOZnO ve 3 Ni FTOZnO ince filmlerin yapısal, yüzey ve optik özelliklerine nikelin katkısının etkisi incelenmiştir. Üretilen filmlerin yapısal analizleri X-ışını kırınımı XRD ve taramalı elektron mikroskobu SEM gibi teknikler kullanılarak gerçekleştirilmiş ve nikel katkılı FTOZnO ince filmlerin kristal yapılarında ve yüzey morfolojilerinde önemli değişiklikler tespit edilmiştir. Ayrıca, optik özellikler UV-Vis spektroskopisi kullanılarak incelenmiş ve nikelin filmlerin optik özelliklerine etkisi ayrıntılı bir şekilde değerlendirilmiştir. ZnO ince filmlerdeki nikel dopant seviyeleri 1 ila 3 arasında değiştirilmiştir. SEM-EDS analizleri, üretilen ZnO ince filmlerin küme benzeri yapılar oluşturduğunu göstermiştir. Bu yapıların, nikel içeriğine bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Üretilen örnekler arasında en homojen yüzey dağılımının 3 Ni-FTOZnO örneğinde olduğu gözlemlenmiştir. XRD analizleri, örneklerin baskın kırınım piklerini SnO2 FTO-taban olarak tanımlamış ve çoğunlukla 101, 202 ve 211 düzlemleri boyunca yönlendirilmiş bir tetragonal kristal yapının olduğunu ortaya koymuştur. Ni-dopant konsantrasyonu arttıkça, filmlerde pik yoğunluklarında artışlar ve yarı-pik genişliklerinde azalmalar gözlemlenmiş, bu da üretilen örneklerin güneş hücresi teknolojilerinde, yarı iletken tabanlı gaz sensörlerinde ve benzer alanlarda potansiyel kullanımını vurgulamaktadır.

 İnce film teknolojileri, modern elektronik ve optoelektronik cihazların gelişiminde önemli bir rol oynamakta olup, yüksek performanslı ve düşük maliyetli malzemelerin üretimine olanak tanıyarak birçok uygulama alanında büyük ilgi çekmektedir. Özellikle, FTO Flor katkılı Kalay Oksit tabanlar üzerinde büyütülen dopantlı ZnO yarı iletken malzemeleri, güneş pilleri, gaz sensörleri ve biyosensörler gibi birçok uygulama için önemli adaylardır. Bu çalışmada, SILAR yöntemi kullanılarak hazırlanan saf FTOZnO ve nikel Ni katkılı, 1 Ni FTOZnO, 2 Ni FTOZnO ve 3 Ni FTOZnO ince filmlerin yapısal, yüzey ve optik özelliklerine nikelin katkısının etkisi incelenmiştir. Üretilen filmlerin yapısal analizleri X-ışını kırınımı XRD ve taramalı elektron mikroskobu SEM gibi teknikler kullanılarak gerçekleştirilmiş ve nikel katkılı FTOZnO ince filmlerin kristal yapılarında ve yüzey morfolojilerinde önemli değişiklikler tespit edilmiştir. Ayrıca, optik özellikler UV-Vis spektroskopisi kullanılarak incelenmiş ve nikelin filmlerin optik özelliklerine etkisi ayrıntılı bir şekilde değerlendirilmiştir. ZnO ince filmlerdeki nikel dopant seviyeleri 1 ila 3 arasında değiştirilmiştir. SEM-EDS analizleri, üretilen ZnO ince filmlerin küme benzeri yapılar oluşturduğunu göstermiştir. Bu yapıların, nikel içeriğine bağlı olarak değiştiği gözlemlenmiştir. Üretilen örnekler arasında en homojen yüzey dağılımının 3 Ni-FTOZnO örneğinde olduğu gözlemlenmiştir. XRD analizleri, örneklerin baskın kırınım piklerini SnO2 FTO-taban olarak tanımlamış ve çoğunlukla 101, 202 ve 211 düzlemleri boyunca yönlendirilmiş bir tetragonal kristal yapının olduğunu ortaya koymuştur. Ni-dopant konsantrasyonu arttıkça, filmlerde pik yoğunluklarında artışlar ve yarı-pik genişliklerinde azalmalar gözlemlenmiş, bu da üretilen örneklerin güneş hücresi teknolojilerinde, yarı iletken tabanlı gaz sensörlerinde ve benzer alanlarda potansiyel kullanımını vurgulamaktadır.

Makale detayları

SILAR Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Yapısal, Yüzey ve Optik Özelliklerine Nikel Katkısının Etkisinin İncelenmesi

Yazarlar:

İlker Kara | Ahmet Furkan Kayis | Özcan Yalçınkaya

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Yoğun Maddenin Yapısal Özellikleri

Dergi:

Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi Vol.5 Issue 2, pp.90-100

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

11/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001332270

pISSN:

2757-5543

İnce film

ZnO

Ni-FTO/ZnO

Sayı

Makale detayları

SILAR Yöntemi ile Hazırlanan ZnO İnce Filmlerin Yapısal, Yüzey ve Optik Özelliklerine Nikel Katkısının Etkisinin İncelenmesi

Yazarlar: İlker Kara | Ahmet Furkan Kayis | Özcan Yalçınkaya

Yayıncı: Gazi University

Ana Başlıklar: Yoğun Maddenin Yapısal Özellikleri

Dergi: Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi Vol.5 Issue 2, pp.90-100

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 11/2024

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2001332270

pISSN: 2757-5543

İnce film

ZnO

Ni-FTO/ZnO

Sayı

Yazarlar:

İlker Kara | Ahmet Furkan Kayis | Özcan Yalçınkaya

Yayıncı:

Gazi University

Ana Başlıklar:

Yoğun Maddenin Yapısal Özellikleri

Dergi:

Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi Vol.5 Issue 2, pp.90-100

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

11/2024

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2001332270

pISSN:

2757-5543