The Impact of the Different Voltages and Frequencies on Resistivity of the TiO2-based Memristors with 3D Observation in MATLAB

Niloufar RAJABİYOUN

doi:https://doi.org/10.31590/ejosat.769921

Makale detayları

The Impact of the Different Voltages and Frequencies on Resistivity of the TiO2-based Memristors with 3D Observation in MATLAB

Yazarlar:

Niloufar RAJABİYOUN

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2020 Vol. Issue 20, pp.260-264

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

12/2020

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000918541

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.769921

Anahtar kelimeler:

Özet:

 

Memristor is the fourth fundamental element that was theoretically discovered about 40 years ago by Professor Leon Chua and was introduced alongside three other existing elements (resistor, capacitor and inductor) in the electronic world. Until recently, however, the construction of a physical example of this had not yet taken place. Finally, in 2008, HP introduced a nanometer-sized TiO2 structure with predictable memory behavior and hysteresis. In this paper, after introducing the general characteristics and structure of the memristor, a 3D MATLAB model with nonlinear ion deflection for the titanium dioxide memristor made by HP with current or voltage control capability is presented. By setting the model parameters for the specifications of this memory, some simulations are performed and the results are displayed.

 

Memristör, yaklaşık 40 yıl önce Profesör Leon Chua tarafından teorik olarak Elektronikte keşfedilen dördüncü temel unsurdur ve elektronik dünyasında mevcut diğer üç unsurun yanısıra (direnç, kapasitör ve indüktör) tanıtıldı. Ancak yakın zamana kadar, bu unsurun fiziksel bir örneğinin yapılması ve geliştirmesi henüz gerçekleşmemişti. Son olarak, 2008'de HP, öngörülebilir bellek davranışı ve histerezisi olan nanometre boyutlu bir TiO2 yapısı ortaya koymuştur. Bu makalede, memrisörün genel özellikleri ve yapısı tanıtıldıktan sonra, HP tarafından akım veya gerilim kontrol kapasitesine sahip titanyum dioksit memristörü için doğrusal olmayan iyon sapmasına sahip bir 3D MATLAB modeli sunulmaktadır. Bu belleğin özellikleri için model parametreleri ayarlanarak, bazı simülasyonlar gerçekleştirilmiştir ve sonuçlar görüntülenmiştir.

Makale detayları

The Impact of the Different Voltages and Frequencies on Resistivity of the TiO2-based Memristors with 3D Observation in MATLAB

Yazarlar:

Niloufar RAJABİYOUN

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2020 Vol. Issue 20, pp.260-264

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

12/2020

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000918541

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.769921

Memristör

TiO2

3 Boyutlu Matlab simulatörü

Sayı

Makale detayları

The Impact of the Different Voltages and Frequencies on Resistivity of the TiO2-based Memristors with 3D Observation in MATLAB

Yazarlar: Niloufar RAJABİYOUN

Yayıncı: Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar: Uygulamalı fizik

Dergi: European Journal of Science and Technology 2020 Vol. Issue 20, pp.260-264

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 12/2020

Belge Dili: İngilizce

Document ID (Org No.): 2000918541

Sıklık: Üç Aylık

eISSN: 2148-2683

DOI: https://doi.org/10.31590/ejosat.769921

Memristör

TiO2

3 Boyutlu Matlab simulatörü

Sayı

Yazarlar:

Niloufar RAJABİYOUN

Yayıncı:

Osman SAĞDIÇ

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

European Journal of Science and Technology 2020 Vol. Issue 20, pp.260-264

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

12/2020

Belge Dili:

İngilizce

Document ID (Org No.):

2000918541

Sıklık:

Üç Aylık

eISSN:

2148-2683

DOI:

https://doi.org/10.31590/ejosat.769921