Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Hatice ASIL UĞURLU

Makale detayları

Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Yazarlar:

Hatice ASIL UĞURLU

Yayıncı:

Van Yuzuncu Yıl University

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

Yuzuncu Yil University Journal of the Institute of Natural and Applied Sciences 2022 Vol.27 Issue 1, pp.158-167

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

4/2022

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000756609

Sıklık:

Üç Yıllık

eISSN:

2667-467X

pISSN:

1300-5413

Anahtar kelimeler:

Özet:

 

The electrical properties of the Ti/p-Si Schottky diode were investigated as a function of temperature within the temperature interval of 80 K-300 K and in 20 K steps. Fundamental diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) and series resistance (Rs) were calculated making use of the conventional I-V method, the Norde method and Cheung functions by utilizing the current-voltage (I-V) characteristics. The barrier height values at 300 K temperature were found to be 0.738 eV, 0.658 eV and 0.782 eV from I-V, Cheung and Norde methods, respectively. The ideality factor was calculated as 1.43 (300 K) in the I-V method and 3.33 (300 K) in the Cheung method. The values of the parameters calculated from different methods in the temperature range of 80 K- 300 K were compared with each other. The decrease in ideality factor and increase in barrier height with increasing temperature show that diode parameters are strongly dependent on temperature.

 

Ti/p-Si Schottky diyotun elektriksel özellikleri 80 K- 300 K sıcaklık aralığında ve 20 K’lik adımlarla sıcaklığın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. İdealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnç (Rs) gibi temel diyot parametreleri akım-gerilim (I-V) karakteristiği özelliklerinden faydalanarak geleneksel I-V yöntemi, Norde yöntemi ve Cheung fonksiyonlarından hesaplanmıştır. 300 K sıcaklığında engel yüksekliği değerleri I-V, Cheung ve Norde yöntemlerinden sırasıyla 0.738 eV, 0.658 eV ve 0.782 eV olarak bulunmuştur. İdealite faktörü ise I-V yöntemde 1.43 (300 K) ve Cheung yönteminde 3.33 (300 K) olarak hesaplanmıştır. 80 K- 300 K sıcaklık aralığında farklı yöntemlerden hesaplanan parametrelerin değerleri birbiriyle kıyaslanmıştır. Artan sıcaklık ile idealite faktörünün azalması ve engel yüksekliğinin artması, diyot parametrelerinin sıcaklığa güçlü bir şekilde bağlı olduğunu göstermektedir.

Makale detayları

Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Yazarlar:

Hatice ASIL UĞURLU

Yayıncı:

Van Yuzuncu Yıl University

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

Yuzuncu Yil University Journal of the Institute of Natural and Applied Sciences 2022 Vol.27 Issue 1, pp.158-167

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

4/2022

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000756609

Sıklık:

Üç Yıllık

eISSN:

2667-467X

pISSN:

1300-5413

Schottky diyot

Engel yüksekliği

Norde fonksiyonu

Cheung- Cheung fonksiyonları

I-V yöntem

Sıcaklık bağlılık

Sayı

Makale detayları

Ti/ p-Si Schottky Diyot Parametrelerinin Belirlenmesi için I – V Yöntemlerinin Karşılaştırılması

Yazarlar: Hatice ASIL UĞURLU

Yayıncı: Van Yuzuncu Yıl University

Ana Başlıklar: Uygulamalı fizik

Dergi: Yuzuncu Yil University Journal of the Institute of Natural and Applied Sciences 2022 Vol.27 Issue 1, pp.158-167

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 4/2022

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000756609

Sıklık: Üç Yıllık

eISSN: 2667-467X

pISSN: 1300-5413

Schottky diyot

Engel yüksekliği

Norde fonksiyonu

Cheung- Cheung fonksiyonları

I-V yöntem

Sıcaklık bağlılık

Sayı

Yazarlar:

Hatice ASIL UĞURLU

Yayıncı:

Van Yuzuncu Yıl University

Ana Başlıklar:

Uygulamalı fizik

Dergi:

Yuzuncu Yil University Journal of the Institute of Natural and Applied Sciences 2022 Vol.27 Issue 1, pp.158-167

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

4/2022

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000756609

Sıklık:

Üç Yıllık

eISSN:

2667-467X

pISSN:

1300-5413