METAL-OKSİT-YARIİLETKEN (MOS) KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK PARAMETRELERİNİN FREKANS VE SICAKLIK BAĞIMLILIĞI

Adem TATAROĞLU

Makale detayları

METAL-OKSİT-YARIİLETKEN (MOS) KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK PARAMETRELERİNİN FREKANS VE SICAKLIK BAĞIMLILIĞI

Yazarlar:

Adem TATAROĞLU

Yayıncı:

Gazi University

Dergi:

Gazi University Journal of Science Part C: Design and Technology 2016 Vol.4 Issue 2, pp.65-70

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2016

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000431873

eISSN:

2147-9526

Özet:

 


Bu çalışmada,  silisyum nitrür (Si3N4) oksit tabakalı MOS kapasitörün dielektrik parametreleri araştırılmıştır. Admitans ölçümleri (kapasitans ve iletkenlik), 300-400 K sıcaklık aralığında üç farklı frekans için (100, 500 ve 1000 kHz) gerçekleştirildi. MOS kapasitörün dielektrik parametreleri bu ölçümler kullanılarak hesaplandı. Dielektrik sabiti (ε') ve kayıp (ε'') artan sıcaklıkla artarken artan frekansla azalmaktadır. Elde edilen ac iletkenlik(sac) değerleri artan sıcaklık ve frekans ile artmaktadır. Ayrıca, elektriksel iletkenliğin Arrhenius eğrileri (lnsac-1000/T), 300-320 K ve 340-400 K sıcaklık aralığında farklı eğimli iki lineer bölge gösterdi. Aktivasyon enerjileri (Ea), iki lineer bölgenin eğiminden hesaplandı.

.

Makale detayları

METAL-OKSİT-YARIİLETKEN (MOS) KAPASİTÖRÜN DİELEKTRİK PARAMETRELERİNİN FREKANS VE SICAKLIK BAĞIMLILIĞI

Yazarlar: Adem TATAROĞLU

Yayıncı: Gazi University

Dergi: Gazi University Journal of Science Part C: Design and Technology 2016 Vol.4 Issue 2, pp.65-70

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 6/2016

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000431873

eISSN: 2147-9526

Sayı

Yazarlar:

Adem TATAROĞLU

Yayıncı:

Gazi University

Dergi:

Gazi University Journal of Science Part C: Design and Technology 2016 Vol.4 Issue 2, pp.65-70

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2016

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000431873

eISSN:

2147-9526