PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Bünyamin Şahin; Sedat Ağan

Makale detayları

PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Yazarlar:

Bünyamin Şahin | Sedat Ağan

Yayıncı:

Kirikkale University

Dergi:

International Journal of Engineering Research and Development 2010 Vol.2 Issue 2, pp.43-47

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2010

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000648125

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

1308-5514

Özet:

 


We report an experimental study, optical properties of Ge and SiGe nanocrystals in SiOx structures are investigated by using Transmission Electron Microscopy (TEM), Raman and Photlüminescence Spectroscopy techniques. Ge nanocrystals in silicon oxide thin films have been grown with different annealing time by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) technique. The aim of our work is to determine size and size distiributions Ge, SiGe nanocrystals in SiOx martix due to annealing processes. TEM, Raman and Photolüminescence (PL) measuruments have been used to characterize their cyrstallization and light emission properties.

.

 


Yaptığımız bu deneysel çalışmada; SiOx yapı içerisinde oluşturulmuş Ge ve SiGe nanokristalleinin optiksel ve elektriksel özelliklerini TEM, Raman ve Fotoışıma spekroskopileri teknikleri yardımıyla araştırdık. SiOx yapı içerisindeki Ge nanokristaller farklı tavlama sürelerinde Plazma ile hızlandırılmış kimyasal buharlatırma tekniği (PECVD yardımıyla oluşturuldu. Çalışmamızın amacı SiOx yapı içerisindeki Ge ve SiGe nanokristallerin boyut ve boyut dağılımlarını tavlama sürecine bağlı olarak araştırmaktır. TEM, Raman ve Fotoışıma ölçümleri yardımıyla nanokristallerin karakteri

.

Makale detayları

PECVD Tekniği ile Büyütülmüş İnce Filmlerde Oluşan Ge ve SiGe Nanokristallerin Geçirgen Elektron Mikroskobu (TEM) ,Raman ve Fotoışıma Spektroskopisi Teknikleri ile İncelenmesi

Yazarlar: Bünyamin Şahin | Sedat Ağan

Yayıncı: Kirikkale University

Dergi: International Journal of Engineering Research and Development 2010 Vol.2 Issue 2, pp.43-47

Belge Tipi: Makale

Yayın Tarihi: 6/2010

Belge Dili: Türkçe

Document ID (Org No.): 2000648125

Sıklık: İki Yıllık

eISSN: 1308-5514

Sayı

Yazarlar:

Bünyamin Şahin | Sedat Ağan

Yayıncı:

Kirikkale University

Dergi:

International Journal of Engineering Research and Development 2010 Vol.2 Issue 2, pp.43-47

Belge Tipi:

Makale

Yayın Tarihi:

6/2010

Belge Dili:

Türkçe

Document ID (Org No.):

2000648125

Sıklık:

İki Yıllık

eISSN:

1308-5514